Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF610B
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.67€ | 0.81€ |
| 5 - 9 | 0.64€ | 0.77€ |
| 10 - 24 | 0.60€ | 0.73€ |
| 25 - 49 | 0.57€ | 0.69€ |
| 50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
| 100 - 249 | 0.54€ | 0.65€ |
| 250+ | 0.52€ | 0.63€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.67€ | 0.81€ |
| 5 - 9 | 0.64€ | 0.77€ |
| 10 - 24 | 0.60€ | 0.73€ |
| 25 - 49 | 0.57€ | 0.69€ |
| 50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
| 100 - 249 | 0.54€ | 0.65€ |
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Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF610B. Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 3.3A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: VGS @10V. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Producto original del fabricante Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 06:25.
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Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 140pF. Costo): 53pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 140pF. Costo): 53pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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