Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF620

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF620
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1 - 4 0.97€ 1.17€
5 - 9 0.92€ 1.11€
10 - 24 0.87€ 1.05€
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Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF620. Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 260pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.

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IRF630
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): 50. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 200V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF630. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 540pF. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MESH OVERLAY MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
IRF630
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): 50. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 200V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF630. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 540pF. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MESH OVERLAY MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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