Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V - IRF634B

Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V - IRF634B
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Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V - IRF634B. Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 8.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.348 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS. Cantidad por caja: 1. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.

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Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia de conmutación rápida. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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