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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 55V, SO8 - IRF7341

Transistor de canal N, 55V, SO8 - IRF7341

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Cantidad	sin IVA	IVA incl.
1 - 4	0.94€	1.14€
5 - 9	0.90€	1.09€
10 - 24	0.73€	0.88€
25 - 49	0.72€	0.87€
50 - 99	0.63€	0.76€
100 - 249	0.60€	0.73€
250 - 2086	0.54€	0.65€

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5 - 9	0.90€	1.09€
10 - 24	0.73€	0.88€
25 - 49	0.72€	0.87€
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Transistor de canal N, 55V, SO8 - IRF7341. Transistor de canal N, 55V, SO8. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda: SO8. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Serie: HEXFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 4.7A. Voltaje de accionamiento: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Rds on (max) @ id, VGS: 8:1. VGS (th) (max) @ id: 2W. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): sí. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Temperatura de funcionamiento: SO. Tipo de montaje: SMD. Producto original del fabricante International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 19:25.

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