Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFI630G

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFI630G
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1 - 4 1.69€ 2.04€
5 - 9 1.61€ 1.95€
10 - 24 1.52€ 1.84€
25 - 43 1.44€ 1.74€
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Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFI630G. Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 800pF. Costo): 240pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: IRFI630G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 9.4 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 04:25.

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Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 500pF. Costo): 95pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 137 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Advanced Power MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: Advanced Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS
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