Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V - IRFPC60

Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V - IRFPC60
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1 - 1 5.93€ 7.18€
2 - 2 5.63€ 6.81€
3 - 4 5.33€ 6.45€
5 - 9 5.04€ 6.10€
10 - 19 4.92€ 5.95€
20 - 22 4.80€ 5.81€
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Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V - IRFPC60. Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 3900pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 64A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 10:25.

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Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.29 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 51A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 17N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 77 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí
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