Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD
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1 - 1 6.24€ 7.55€
2 - 2 5.92€ 7.16€
3 - 4 5.61€ 6.79€
5 - 9 5.30€ 6.41€
10 - 19 5.18€ 6.27€
20 - 29 5.05€ 6.11€
30 - 51 4.86€ 5.88€
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Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD. Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 53 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 22:25.

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Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (s...
HGTG20N60B3D
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Función: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Marcado en la caja: G20N60B3D. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 165W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Spec info: Tiempo de caída típico 140 ns a 150 °C. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS
HGTG20N60B3D
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Función: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Marcado en la caja: G20N60B3D. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 165W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Spec info: Tiempo de caída típico 140 ns a 150 °C. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS
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