Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK44N50

Transistor de canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK44N50
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1 - 1 21.90€ 26.50€
2 - 2 20.80€ 25.17€
3 - 4 19.71€ 23.85€
5 - 9 18.61€ 22.52€
10 - 14 18.18€ 22.00€
15 - 19 17.74€ 21.47€
20+ 17.08€ 20.67€
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Transistor de canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK44N50. Transistor de canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 8400pF. Costo): 900pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: F-Class--MHz Switching. Identificación (diablillo): 176A. IDss (mín.): 400uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 500W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 11:25.

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Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 500V, 44A, 25, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V....
IXFK48N50
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 500V, 44A, 25, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Vivienda (norma JEDEC): 25. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK48N50. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 8400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 500W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
IXFK48N50
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 500V, 44A, 25, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Vivienda (norma JEDEC): 25. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK48N50. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 8400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 500W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
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