Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113

Transistor de canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 6.45€ 7.80€
2 - 2 6.13€ 7.42€
3 - 4 5.80€ 7.02€
5 - 6 5.48€ 6.63€
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Transistor de canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113. Transistor de canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2930pF. Costo): 1150pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 380A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 2N03L04. Pd (disipación de potencia, máx.): 188W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 00:25.

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Cantidad en inventario : 85
IRLB8743PBF

IRLB8743PBF

Transistor de canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI...
IRLB8743PBF
Transistor de canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: UNIÓN POSTAL UNIVERSAL, Convertidor CC/CC. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
IRLB8743PBF
Transistor de canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: UNIÓN POSTAL UNIVERSAL, Convertidor CC/CC. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
Conjunto de 1
1.84€ IVA incl.
(1.52€ sin IVA)
1.84€
Cantidad en inventario : 1297
IRLB8748PBF

IRLB8748PBF

Transistor de canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI...
IRLB8748PBF
Transistor de canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: UNIÓN POSTAL UNIVERSAL, Convertidor CC/CC. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Protección G-S: NINCS
IRLB8748PBF
Transistor de canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: UNIÓN POSTAL UNIVERSAL, Convertidor CC/CC. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Protección G-S: NINCS
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1.34€ IVA incl.
(1.11€ sin IVA)
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Cantidad en inventario : 14
STP80NF55-08

STP80NF55-08

Transistor de canal N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 57A. DI (T...
STP80NF55-08
Transistor de canal N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Función: control de motor, amplificador de audio. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS
STP80NF55-08
Transistor de canal N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Función: control de motor, amplificador de audio. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS
Conjunto de 1
4.56€ IVA incl.
(3.77€ sin IVA)
4.56€
Cantidad en inventario : 99
STP80NF06

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Transistor de canal N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T...
STP80NF06
Transistor de canal N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SWITCHING APPLICATION. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P80NF06. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS
STP80NF06
Transistor de canal N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SWITCHING APPLICATION. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P80NF06. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS
Conjunto de 1
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(2.37€ sin IVA)
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(2.16€ sin IVA)
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IRFZ44N
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051-0907-02

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Nota: 28p...
051-0907-02
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051-0907-02
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2.69€ IVA incl.
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