Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - SPB80N04S2-H4

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1 - 4 1.67€ 2.02€
5 - 9 1.59€ 1.92€
10 - 24 1.50€ 1.82€
25 - 49 1.42€ 1.72€
50 - 58 1.39€ 1.68€
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Transistor de canal N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - SPB80N04S2-H4. Transistor de canal N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.4M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 4480pF. Costo): 1580pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 195 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora . Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 2N04H4. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 06:25.

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