Transistor de canal N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V - SPD08N50C3

Transistor de canal N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V - SPD08N50C3. Transistor de canal N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 560V. C(pulg): 750pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 22.8A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 08N50C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 05:25.