Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V - SPP11N60S5

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10 - 24 4.13€ 5.00€
25 - 49 3.90€ 4.72€
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Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V - SPP11N60S5. Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1460pF. Costo): 610pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 650ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 22A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: 11N60S5. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 130 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 05:25.

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