Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5

Transistor de canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5
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1 - 1 7.32€ 8.86€
2 - 2 6.96€ 8.42€
3 - 4 6.74€ 8.16€
5 - 9 6.59€ 7.97€
10 - 19 6.44€ 7.79€
20 - 29 6.22€ 7.53€
30 - 36 6.00€ 7.26€
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Transistor de canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5. Transistor de canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 650V. RoHS: sí. C(pulg): 3000pF. Costo): 1170pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 20N60S5. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 120ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 4.5V. Producto original del fabricante Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/08/2025, 14:08.

Documentación técnica

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SPP20N60C3

SPP20N60C3

Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 13....
SPP20N60C3
Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): P-TO220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 62.1A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 20N60C3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 67 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V
SPP20N60C3
Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): P-TO220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 62.1A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 20N60C3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 67 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V
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PC16SH-10IP06-254A2020
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