Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC4747. Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Display-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 20:25.

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Transistor NPN, 10A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Para desviación horizontal de alta resolución. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Spec info: Display-HA MONITOR. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Deflexión horizontal de la pantalla en color de alto voltaje . Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V. Spec info: 0.1...0.3us
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