Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V - KSD2012GTU

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V - KSD2012GTU. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 35pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 150. Marcado en la caja: D2012-G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) KSB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 10:25.