transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: 0.2W. Spec info: serigrafía/código SMD 6B. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: 0.2W. Spec info: serigrafía/código SMD 6D. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. C(pulg): 75pF. Costo): 15pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: 1.6mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Corriente del colector: 100nA (ICBO). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SM-8. Cantidad por caja: 2. Voltaje: 60V. Ganancia máxima de hFE: 100 (500mA, 2V). Número de terminales: 8:1. Máx.: 140 MHz. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Potencia: 2.75W. Tipo de transistor: PNP & PNP. Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementario (par) ZTX451. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.35V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: Muy baja saturación VBE(sat) 0,9V. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) ZTX653. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 600 ns. Tf(mín.): 40 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.17V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 400V, 0.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 400V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 0.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: ZTX758. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Muy baja saturación VBE(sat) 0,9V. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 150. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) ZTX690. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 600 ns. Tf(mín.): 35us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Muy baja saturación VBE(sat) 0,95V. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 300. Ic (pulso): 4A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 750 ns. Tf(mín.): 35us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.45V. Velocidad: 5V