transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de potencia de conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 32. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 3A. Marcado en la caja: N93003. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 1000. Spec info: transistor complementario (par) STN83003. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, -20V, -1A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: -20V. Corriente del colector: -1A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor PNP. Polaridad: PNP. Potencia: 1W. Frecuencia máxima: 65MHz. Aplicaciones: Audio

Transistor NPN, -45V, -1A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: -45V. Corriente del colector: -1A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor PNP. Polaridad: PNP. Potencia: 0.8W. Frecuencia máxima: 150MHz. Aplicaciones: Audio

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Función: conmutación, amplificador de audio. Spec info: transistor complementario (par) TIP102. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP126. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-220, 5A, TO-220, 100V, -100V, -5A. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -5A. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: PNP. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 75W. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: transistor complementario (par) TIP122

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Costo): 300pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Función: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: transistor complementario (par) TIP122G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP127. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO220, 100V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): 70pF. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Función: 8A. Ganancia máxima de hFE: 15000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 12V. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 4 v. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) TIP132. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP147. Frecuencia de corte pies [MHz]: 500. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington monolítico. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) TIP142

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor Darlington de potencia complementaria. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 500. Ic (pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington monolítico. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Resistencia BE: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) TIP142T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, -100V, -10A, TO-3P. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -10A. Vivienda: TO-3P. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: PNP. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 125W

Transistor NPN, TO-247, 100V, 15A, 15A, TO-247, 70V, -100V, -15A. Vivienda: TO-247. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. Corriente del colector: 15A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -15A. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP2955. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 90W. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 90W. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Nota: transistor complementario (par) TIP3055. Spec info: Bajo voltaje de saturación colector-emisor

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP30. Disipación máxima Ptot [W]: 30W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Costo): 160pF. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: PNP TRANS 100V 3. Fecha de producción: 201448. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) TIP31C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-247. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 15A. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) TIP33C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): 45pF. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. Corriente del colector: 25A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP33C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 50A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Spec info: transistor complementario (par) TIP35C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 100V, 25A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP36CG. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -6A. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) TIP41C. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 65W

Transistor NPN, -100V, -6A, TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -6A. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 65W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 180pF. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 180pF. Material semiconductor: silicio. Función: 0.2W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Spec info: serigrafía/código SMD 6B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 180pF. Material semiconductor: silicio. Función: 0.2W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Spec info: serigrafía/código SMD 6D. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. C(pulg): 75pF. Costo): 15pF. Material semiconductor: silicio. Función: 1.6mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Corriente del colector: 100nA (ICBO). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SM-8. Voltaje: 60V. Ganancia máxima de hFE: 100 (500mA, 2V). Número de terminales: 8:1. Máx.: 140 MHz. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Potencia: 2.75W. Tipo de transistor: PNP & PNP. Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C. Cantidad por caja: 2. Tensión de saturación VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)