transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A6A. Disipación máxima Ptot [W]: 0.24W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A6E. Disipación máxima Ptot [W]: 0.24W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MPSA92. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92AMMO. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-TR. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.25V. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) MPSA06. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MPSA56. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 125 MHz. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Acondicionamiento: rollo. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2000. Spec info: transistor complementario (par) MPSA42. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. C(pulg): 60pF. Costo): 6pF. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Resistencia B: transistor PNP. Resistencia BE: -30V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. C(pulg): 4.5pF. Costo): 10pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 75. Ic (pulso): 30A. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) NJW0281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. C(pulg): 9pF. Costo): 6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30MHz. Función: amplificador de potencia de audio. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 75. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) NJW3281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3P, 250V, 16A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3P. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: NJW21193G. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 15A, 60V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2.5 MHz. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementario (par) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.3V. Velocidad: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT89 (SC-62). Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 85pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 110 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 80. Ic (pulso): 15A. Nota: PBSS4041NX. Marcado en la caja: 6g. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 75 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 60mV. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 300mV. Velocidad: 5V. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Spec info: serigrafía/código SMD 6G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Costo): 29pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 800mA. Marcado en la caja: *T2, P2T, T2T, W2T. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 350 ns. Tf(mín.): 40 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Spec info: Serigrafía/código SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementario (par) PMBT4401. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 75pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Amplificador de propósito general. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 80...450. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 45pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Amplificador de propósito general. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 240...600. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92AMMO. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. C(pulg): 30pF. Costo): 8pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Amplificador de propósito general. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 75. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2907A. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-363, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-363. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Marcado del fabricante: B*1. Frecuencia de corte pies [MHz]: 180 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor doble PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A6A. Disipación máxima Ptot [W]: 0.24W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. C(pulg): 11pF. Costo): 1.5pF. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 160. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.28V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Resistencia BE: 4. Costo): 3pF. Material semiconductor: silicio. Función: Operación push-pull clase B. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Spec info: Excelente linealidad hFE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Costo): 95pF. Material semiconductor: silicio. Función: Operación push-pull clase B. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Spec info: Excelente linealidad hFE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 170 MHz. Función: Amplificador de potencia media. Ganancia máxima de hFE: 390. Ganancia mínima de hFE: 82. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) STD1862

Transistor NPN, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento: rollo. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: N9260. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 150 ns. Tipo de transistor: PNP. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Función: Transistor de potencia PNP de conmutación rápida de alto voltaje. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS