transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2907A. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-363, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-363. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor doble PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Marcado del fabricante: B*1. Frecuencia de corte pies [MHz]: 180 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A6A. Disipación máxima Ptot [W]: 0.24W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 11pF. Costo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 160. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.28V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 4. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Operación push-pull clase B. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: Excelente linealidad hFE. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 95pF. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Operación push-pull clase B. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: Excelente linealidad hFE. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 170 MHz. Función: Amplificador de potencia media. Ganancia máxima de hFE: 390. Ganancia mínima de hFE: 82. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementario (par) STD1862. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Función: Transistor de potencia PNP de conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: N9260. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 150 ns. Tipo de transistor: PNP. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de potencia de conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 32. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 3A. Marcado en la caja: N93003. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) STN83003. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: conmutación, amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 15A. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP102. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP126. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 75pF. Costo): 10pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP122. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Costo): 300pF. Diodo CE: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP122G. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP127. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO220, 100V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): 70pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: 8A. Ganancia máxima de hFE: 15000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 12V. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) TIP132. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 4 v. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP147. Frecuencia de corte pies [MHz]: 500. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) TIP142. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington monolítico. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor Darlington de potencia complementaria. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 500. Ic (pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington monolítico. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Resistencia BE: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) TIP142T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 100V, 15A, 15A, TO-247, 70V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. Corriente del colector: 15A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP2955. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 90W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Nota: transistor complementario (par) TIP3055. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Spec info: Bajo voltaje de saturación colector-emisor. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP30. Disipación máxima Ptot [W]: 30W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Costo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: PNP TRANS 100V 3. Fecha de producción: 201448. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP31C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-247. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 15A. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP33C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): 45pF. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. Corriente del colector: 25A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP33C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 50A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) TIP35C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 100V, 25A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP36CG. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP41C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP