transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2.5 MHz. Función: Aplicaciones de conmutación y amplificador. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. Spec info: transistor complementario (par) 2N3055. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ2955G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2.5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 115W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: J45H11. Frecuencia de corte pies [MHz]: 90 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE15031. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE15030G. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220. Costo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 10. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementario (par) MJE15032. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Nota: transistor complementario (par) MJE15034G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementario (par) MJE200. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 8V

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad, Audio. Ganancia máxima de hFE: 180. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE243. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: para amplificadores de audio de alta fidelidad y reguladores de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE2955TG. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-32. Vivienda (norma JEDEC): TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE350. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 240. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Velocidad: 3V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 7pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Equivalentes: KSE350. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Velocidad: 3V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Nota: carcasa de plastico. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 3V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, TO-225, 300V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE350G. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 400V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 450V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 400V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 400V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE5852G. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 260V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: hFE 45(min). Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 45. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJL3281A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO–3PBL. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 500pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJL21194. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 35 MHz. Función: Audio potente, baja distorsión armónica. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJL4281A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon Power Bipolar Transistor. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Transistor de potencia bipolar complementario. Fecha de producción: 201446. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJW3281A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor bipolar de potencia. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Excelente linealidad de ganancia. Fecha de producción: 2015/04. Ganancia máxima de hFE: 80. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJW21196. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2F. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2A. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Marcado en la caja: 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. Spec info: SMD 2A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 75 ns. Tf(mín.): 35 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V