transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ11015G. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJ11016

Transistor NPN, -60V, -50A. Voltaje colector-emisor VCEO: -60V. Corriente del colector: -50A. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: PNP. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 300W

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corriente del colector: 50A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 300pF. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganancia máxima de hFE: 18000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Spec info: transistor complementario (par) MJ11032

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ11033G. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Resistencia BE: 70. C(pulg): TO-3. Costo): TO-204AA. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: Transistor de potencia. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 25. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJ15003. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Ic (pulso): 20A

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 360pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 10. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(mín.): 4us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) MJ15015. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ15016G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 18 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementario (par) MJ15022. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Costo): 1.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Audio de alta potencia. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJ15022. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Costo): 280pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Audio de alta potencia. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJ15024. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 250V, 16A, -250V, -16A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 16A. Voltaje colector-emisor VCEO: -250V. Corriente del colector: -16A. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ15025G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 250W. Frecuencia máxima: 4 MHz. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ21193G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Costo): 4pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Spec info: transistor complementario (par) MJ21196. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Costo): 4pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2.5 MHz. Función: Aplicaciones de conmutación y amplificador. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) 2N3055. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ2955G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2.5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 115W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, -100V, -6A, I-PAK. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -6A. Vivienda: I-PAK. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 20W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: J45H11. Frecuencia de corte pies [MHz]: 90 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Resistencia B: Transistor de potencia. Resistencia BE: -150V. C(pulg): -8A. Costo): 50W. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE15030G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, -250V, -8A, TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: -250V. Corriente del colector: -8A. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 50W. Frecuencia máxima: 30MHz

Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220. Costo): 2pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 10. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE15032. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Costo): 2.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Nota: transistor complementario (par) MJE15034G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 120pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 8V. Spec info: transistor complementario (par) MJE200. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -4A. Vivienda: TO-126. Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 15W. Frecuencia máxima: 40 MHz. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad, Audio. Ganancia máxima de hFE: 180. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) MJE243