transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 300. Marcado en la caja: A992. Equivalentes: 2SC992. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) KSC1845. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.9V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 9 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 150. Marcado en la caja: B1366-G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) KSD2012. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon PNP Triple Diffused Type. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 110 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 75. Nota: distribución de pines E, C, B. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial PNP. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S. Spec info: 0504-000142. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: SW. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 47. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 47. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S. Spec info: 12159-301-810. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 10. Costo): 3.7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: SWITCHING APPLICATION. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1.5A, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: transistor paquete aislado. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 100. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor PNP plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P ( H ) IS. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 280pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: Amplificador de audio de alta potencia. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 55. Marcado en la caja: B778. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) KTD998. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ11015G. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Spec info: transistor complementario (par) MJ11016. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corriente del colector: 50A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 300pF. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganancia máxima de hFE: 18000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ11032. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ11033G. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 70. C(pulg): TO-3. Costo): TO-204AA. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: Transistor de potencia. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementario (par) MJ15003. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 10. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ15015. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(mín.): 4us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ15016G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 18 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementario (par) MJ15022. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Audio de alta potencia. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ15022. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 280pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Audio de alta potencia. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ15024. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 250V, 16A, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 16A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ15025G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ21193G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ21196. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V