transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: DB. Frecuencia de corte pies [MHz]: 60 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Corriente del colector: 0.03A. Vivienda: SOT-39. Vivienda (según ficha técnica): SOT-39. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Material semiconductor: silicio. FT: 900 MHz. Función: UHF-M/O. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 1.6pF. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: 1W. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V. Cantidad por caja: 1. Spec info: serigrafía/código SMD 1W. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 20V, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN. Función: UHF-V. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 30mA, TO-50, TO-50, 40V, SOT-37. Corriente del colector: 30mA. Vivienda: TO-50. Vivienda (según ficha técnica): TO-50. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Vivienda: SOT-37. Material semiconductor: silicio. FT: 900 MHz. Función: UHF-M/O. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.15W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Aplicaciones: RF POWER. Frecuencia máxima: 900 MHz. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 30mA, 20V. Corriente del colector: 30mA. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Material semiconductor: silicio. Función: UHF-V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BFN37. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 12V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 35mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: X1p. Frecuencia de corte pies [MHz]: 5GHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Resistencia BE: 150 Ohms. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: alta corriente CC, controladores de relé, controladores de lámpara. Ganancia máxima de hFE: 2000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 2A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BSP50. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP62. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: hFE 50...300. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Spec info: serigrafía/código CMS T8. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. Función: VHR758 EV. Cantidad por caja: 1. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Spec info: transistor complementario (par) CSD1133

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 20A. Equivalentes: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(mín.): 100 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: par D44H11. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: D45H11G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 40 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 70. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: D45H8G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 40 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, -80V, -15A, TO–220AB. Voltaje colector-emisor VCEO: -80V. Corriente del colector: -15A. Vivienda: TO–220AB. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 83W. Frecuencia máxima: 50 MHz

Transistor NPN, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: 14. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: serigrafía/SMD código 14

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: Transistor digital (resistencia de polarización incorporada). Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: 14. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: serigrafía/SMD código 14

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: Transistores digitales (resistencias incorporadas). Marcado en la caja: 15. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Spec info: serigrafía/código SMD 15. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SC-72. Vivienda (según ficha técnica): SC-72 ( D143 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 4.7k Ohms. Resistencia BE: 47k Ohms. Costo): 3pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor equipado con resistencia PNP. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 100mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 10V. Spec info: serigrafía/código SMD 19. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Material semiconductor: silicio. FT: 190 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 480. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 4A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: transistor complementario (par) FMMT619. Spec info: serigrafía/código SMD 720