transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 4.7k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 47k Ohms. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor equipado con resistencia PNP. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 100mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 19. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 190 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 480. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 4A. Nota: transistor complementario (par) FMMT619. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 720. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Corriente del colector: 2A. Vivienda (según ficha técnica): SANYO--PCP4. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 7. RoHS: sí. Spec info: 2SB1121 y SB05-05CP integrados en una sola caja. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65 MHz. Función: hFE 5000. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) FN1016. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, PCP4, 15V. Corriente del colector: 3A. Vivienda (según ficha técnica): PCP4. Tensión colector/emisor Vceo: 15V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 6. RoHS: sí. Spec info: Transistor + diode block. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 400V, 0.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 400V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 0.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FZT558. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FZT949. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 3A, 40V. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Nota: hFE 100...400. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Spec info: TO-92. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 160...320. Spec info: Vivienda NO aislada. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Spec info: KSA642-O. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.15A, 60V. Corriente del colector: 0.15A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: 9mm. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.7A, 80V. Corriente del colector: 0.7A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF/S. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: 9 mm de altura. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 55pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) KSC2073. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 300. Marcado en la caja: A992. Equivalentes: 2SC992. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) KSC1845. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.9V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 9 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 150. Marcado en la caja: B1366-G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) KSD2012. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon PNP Triple Diffused Type. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 110 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 75. Nota: distribución de pines E, C, B. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial PNP. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S. Spec info: 0504-000142. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: SW. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 47. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 47. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S. Spec info: 12159-301-810. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 10. Costo): 3.7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: SWITCHING APPLICATION. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1.5A, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: transistor paquete aislado. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP