transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD652. Disipación máxima Ptot [W]: 62.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD678. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia mínima de hFE: 750. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD677A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Resistencia B: sí. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 750. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) BD679. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 14W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD679A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -4A. Frecuencia de corte pies [MHz]: NF-L. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: PNP. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporado: sí. Potencia: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) BD681

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD682G. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 120V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Nota: >750. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD810G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 1.5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 90W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-202. Vivienda (según ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Material semiconductor: silicio. FT: 75 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BD829. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, 100V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Tipo de transistor: PNP. Nota: >750. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BD901

Transistor NPN, 15A, 45V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): +150°C. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BD911. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 15A. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BD911

Transistor NPN, 5A, 45V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDP950. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tf(máx.): 2.5us. Tf(mín.): 0.5us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 2.5V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: transistor complementario (par) BDT65C. Diodo BE: sí. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 15A, 100V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Spec info: 130.42144

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDV64BG. Frecuencia de corte pies [MHz]: 1000. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) BDV65B

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Función: hFE 1000. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BDV65C

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 15A. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BDV65C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW47G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 85W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDW83C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP