transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-202. Vivienda (según ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 75 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Spec info: transistor complementario (par) BD829. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, 100V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) BD901. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, 45V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Spec info: transistor complementario (par) BD911. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD911. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, 45V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDP950. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: sí. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 20A. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDT65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tf(máx.): 2.5us. Tf(mín.): 0.5us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 2.5V

Transistor NPN, 15A, 100V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: 130.42144. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDV64BG. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDV65B. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDV65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDV65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW47G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 85W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDW83C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-93. Vivienda (norma JEDEC): SOT-93. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW84D. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDW83D. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor PNP Darlington. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW94C. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: transistor complementario (par) BDW93C. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: transistor complementario (par) BDW93CF. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia B: 10k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 150 Ohms. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Ganancia máxima de hFE: 750. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) BDX33C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDX34CG. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: amplificador de audio. Fecha de producción: 2014/32. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Nota: transistor complementario (par) BDX53C. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistores Darlington de potencia complementaria. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Transistores Darlington de potencia complementaria. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: transistor complementario (par) BDX53F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementario (par) BDX67C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementario (par) BDX67C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, 50V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Tipo de transistor: PNP