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Semiconductores Transistores
transistores bipolares PNP

transistores bipolares PNP

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Transistor NPN, 5A, 45V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad po...
BD948
Transistor NPN, 5A, 45V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP
BD948
Transistor NPN, 5A, 45V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP
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BDP950

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). ...
BDP950
Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDP950. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BDP950
Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDP950. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (...
BDT64C
Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: sí. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 20A. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDT65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tf(máx.): 2.5us. Tf(mín.): 0.5us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 2.5V
BDT64C
Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: sí. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 20A. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDT65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tf(máx.): 2.5us. Tf(mín.): 0.5us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 2.5V
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BDT86

Transistor NPN, 15A, 100V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantida...
BDT86
Transistor NPN, 15A, 100V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: 130.42144. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 15A, 100V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: 130.42144. Tipo de transistor: PNP
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BDV64BG

Transistor NPN, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-24...
BDV64BG
Transistor NPN, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Corriente del colector: 10A. RoHS: sí. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDV65B. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3
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Transistor NPN, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Corriente del colector: 10A. RoHS: sí. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDV65B. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3
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BDV64C

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: T...
BDV64C
Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDV65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
BDV64C
Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDV65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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BDV64C-POW

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: T...
BDV64C-POW
Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDV65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDV65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V
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BDW47G

BDW47G

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: T...
BDW47G
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW47G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 85W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BDW47G
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW47G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 85W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: T...
BDW84C
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDW83C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
BDW84C
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDW83C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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3.82€ IVA incl.
(3.16€ sin IVA)
3.82€
Cantidad en inventario : 243
BDW84D

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Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: S...
BDW84D
Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-93. Vivienda (norma JEDEC): SOT-93. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW84D. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BDW84D
Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-93. Vivienda (norma JEDEC): SOT-93. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW84D. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
Conjunto de 1
6.13€ IVA incl.
(5.07€ sin IVA)
6.13€
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BDW84D-ISC

BDW84D-ISC

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN...
BDW84D-ISC
Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDW83D. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
BDW84D-ISC
Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDW83D. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
Conjunto de 1
2.92€ IVA incl.
(2.41€ sin IVA)
2.92€
Cantidad en inventario : 101
BDW94C

BDW94C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A. Vivienda: soldadura de PCB. Viviend...
BDW94C
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW94C. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C
BDW94C
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW94C. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C
Conjunto de 1
2.06€ IVA incl.
(1.70€ sin IVA)
2.06€
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BDW94CF

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Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivie...
BDW94CF
Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: transistor complementario (par) BDW93CF. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V
BDW94CF
Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: transistor complementario (par) BDW93CF. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V
Conjunto de 1
1.54€ IVA incl.
(1.27€ sin IVA)
1.54€
Cantidad en inventario : 274
BDX34C

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Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 10A. Vivienda...
BDX34C
Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia B: 10k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 150 Ohms. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Ganancia máxima de hFE: 750. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) BDX33C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V
BDX34C
Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia B: 10k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 150 Ohms. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Ganancia máxima de hFE: 750. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) BDX33C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V
Conjunto de 1
0.93€ IVA incl.
(0.77€ sin IVA)
0.93€
Cantidad en inventario : 152
BDX34CG

BDX34CG

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: T...
BDX34CG
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDX34CG. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BDX34CG
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDX34CG. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
Conjunto de 1
1.83€ IVA incl.
(1.51€ sin IVA)
1.83€
Cantidad en inventario : 116
BDX54C

BDX54C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda...
BDX54C
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDX54C. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDX54C. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/em...
BDX54F
Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Transistores Darlington de potencia complementaria. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: transistor complementario (par) BDX53F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Transistores Darlington de potencia complementaria. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: transistor complementario (par) BDX53F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-2...
BDX66C
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementario (par) BDX67C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
BDX66C
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementario (par) BDX67C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-2...
BDX66C-SML
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementario (par) BDX67C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: hFE 1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementario (par) BDX67C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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BDY83B

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Transistor NPN, 4A, 50V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad po...
BDY83B
Transistor NPN, 4A, 50V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 4A, 50V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Tipo de transistor: PNP
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BF272

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Transistor NPN. Cantidad por caja: 1...
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Transistor NPN. Cantidad por caja: 1
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Transistor NPN. Cantidad por caja: 1
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Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (s...
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Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 450 MHz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 450 MHz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (s...
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 100mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 830mW. Spec info: transistor complementario (par) BF420. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V
BF421
Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 100mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 830mW. Spec info: transistor complementario (par) BF420. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, TO-92, TO-92, 250V, 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92....
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Transistor NPN, TO-92, TO-92, 250V, 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Corriente del colector: 0.05A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BF422. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 100A
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Transistor NPN, TO-92, TO-92, 250V, 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Corriente del colector: 0.05A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BF422. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 100A
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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Vivienda: solda...
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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BF450. Frecuencia de corte pies [MHz]: 350 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v
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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BF450. Frecuencia de corte pies [MHz]: 350 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v
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