transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: AD. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: AM. Frecuencia de corte pies [MHz]: 125 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: amplificadores de audio. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 1.5A. Marcado en la caja: AH. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD AH. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: amplificadores de audio. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 63. Ic (pulso): 1.5A. Nota: serigrafía/código SMD AK. Marcado en la caja: AK. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BCX56-16. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, SOT89, -80V. Vivienda: SOT89. Voltaje colector-emisor VCEO: -80V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 1W. Voltaje de base coleccionista VCBO: -100V. Tipo de montaje: SMD. Ancho de banda MHz: 125MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 25. Corriente máxima 1: -1A. Serie: BCX

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: AL. Frecuencia de corte pies [MHz]: 125 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 32V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 32V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Función: NF/S. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD140. Disipación máxima Ptot [W]: 12.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V, 1.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Corriente del colector: 1.5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD139-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 3A

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD139. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1.5A, 45V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Aplicaciones de audio, alimentación lineal y conmutación.. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD237. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD238G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, -80V, -2A, TO-126. Voltaje colector-emisor VCEO: -80V. Corriente del colector: -2A. Vivienda: TO-126. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 25W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD239C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD241C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD242CG. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD244C. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C

Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 6A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD243C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) BD245C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) BD245C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BD249C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BD249C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BD249C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP