transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 125. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.075V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código SMD 3A

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Costo): 4.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 475. Ganancia mínima de hFE: 220. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3B. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.065V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código SMD 3B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SC-70. Vivienda (norma JEDEC): SOT-323. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 125. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3E. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: °C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.075V. Velocidad: 5V. Spec info: SMD 3E

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3F. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Velocidad: 5V. Spec info: SMD KO0 3F

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3F. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), TSSOP6, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TSSOP6. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Marcado del fabricante: 3Ft. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor doble PNP

RoHS: sí. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-323. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3F. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3 G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.075V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código CMS 3G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3L. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 475. Ganancia mínima de hFE: 220. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Spec info: SMD 3F

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3 G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Spec info: Serigrafía/código SMD 3G/4C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 4C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. C(pulg): 10pF. Costo): 4.5pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Nota: transistor complementario (par) BC850C. Marcado en la caja: 4g. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Potencia: 0.25W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.075V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código SMD 4G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, 20V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: CEC. Frecuencia de corte pies [MHz]: 140 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: NF/S. Ganancia máxima de hFE: 2000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Costo): 15pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 145 MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP51/16. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BCP54-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 15pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 145 MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP52/16. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BCP55-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BCP53-10. Frecuencia de corte pies [MHz]: 120 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +155°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: AH-10. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP