transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF-TR. Marcado en la caja: 5B. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 5B. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5B1. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80MHz. Función: NF-TR. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 250. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: 5C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 5C. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 25V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 125. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 3A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.075V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Corriente del colector: 100mA. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 3B. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.065V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 475. Ganancia mínima de hFE: 220. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3B

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SC-70. Vivienda (norma JEDEC): SOT-323. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 125. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3E. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: SMD 3E. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: °C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.075V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Corriente del colector: 100mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: propósito general. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3F. Número de terminales: 3

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3F. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), TSSOP6, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TSSOP6. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor doble PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Marcado del fabricante: 3Ft. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3 G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código CMS 3G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.075V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, SOT23, 30V. Vivienda: SOT23. Voltaje colector-emisor VCEO: 30V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 0.25W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 30V. Tipo de montaje: SMD. Ancho de banda MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 220. Corriente máxima 1: 0.1A. Serie: BC

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3L. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 475. Ganancia mínima de hFE: 220. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: SMD 3F. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3 G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD 3G/4C. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 4C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 10pF. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Nota: transistor complementario (par) BC850C. Marcado en la caja: 4g. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 4G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Potencia: 0.25W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.075V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 5V