transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC546C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo-Pak ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 110. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.08V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC547A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 45V, 100mA, TO-92, 50V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC557B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 150 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC547B

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC557B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 320 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, -50V, -0.2A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: -50V. Corriente del colector: -0.2A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor PNP. Polaridad: PNP. Potencia: 0.5W

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: transistor PNP. Resistencia BE: -50V. C(pulg): 10pF. Costo): 3.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC547C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC557B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 150 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC557C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 320 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 450. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.08V. Velocidad: 5V. Función: Conmutación y amplificador AF. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: C559A. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: propósito general. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: hFE 200...450. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) BC550B

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Costo): 2.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 380. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC550C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: transistor PNP. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-92. Costo): TO-226AA. Diodo CE: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC550C

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. C(pulg): 110pF. Costo): 9pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Fecha de producción: 1997.04. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC639. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC640-16. Frecuencia de corte pies [MHz]: 150 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. C(pulg): 110pF. Costo): 9pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC639-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 80V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC640. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: NF-TR. Marcado en la caja: 5B. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: serigrafía/código SMD 5B

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5B1. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Costo): 5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80MHz. Función: NF-TR. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 250. Ic (pulso): 1A. Marcado en la caja: 5C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código SMD 5C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 5C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP