transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 0.1A, 20V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-18, 25V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-18. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Resistencia B: transistor PNP. Resistencia BE: -60V. C(pulg): -0.5A. Costo): 0.85W. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.65 MHz. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.65 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC337-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: C32716. Frecuencia de corte pies [MHz]: 260 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: hFE 160-400. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC337-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: hFE 160-400. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC337-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC327-25. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC327-25. Frecuencia de corte pies [MHz]: 260 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC327-25. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC327-40. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC337-40

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: hFE 250-600. Ganancia máxima de hFE: 630. Ganancia mínima de hFE: 250. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC337-40. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Resistencia B: transistor PNP. Resistencia BE: -30V. C(pulg): -0.8A. Costo): 0.63W. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC369. Frecuencia de corte pies [MHz]: 45 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, -20V, -1A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: -20V. Corriente del colector: -1A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor PNP. Polaridad: PNP. Potencia: 0.625W

Transistor NPN, 0.1A, 180V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: TO18

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.4A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 3000. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Spec info: transistor complementario (par) BC517

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor PNP Darlington. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC517. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC556B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 150 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC546B

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 65V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC556B. Frecuencia de corte pies [MHz]: 280 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, -65V, -0.1A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: -65V. Corriente del colector: -0.1A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor PNP. Polaridad: PNP. Potencia: 0.5W