transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65 MHz. Función: hFE 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2438. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: hFE 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2439. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P ( SOT-93 ). Tensión colector/emisor Vceo: 110V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, 110V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Nota: >5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2495. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Función: Amplificador y regulador de potencia de audio HI-FI. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2560. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): MT-25 (TO220). Tensión colector/emisor Vceo: 110V. Diodo BE: NINCS. Costo): 100pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia mínima de hFE: 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2589. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-1, 30 v, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-1. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.125W

Transistor NPN, 0.15A, 25V. Corriente del colector: 0.15A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: GE. Nota: >30. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 35V, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, 1.5A, 35V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 50V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 20W

Transistor NPN, soldadura de PCB, M17/J, 90V/80V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M17/J. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 90V/80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldadura de PCB, M17/J, 40V/20V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M17/J. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 20V/15V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V/15V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D17/C, 25V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D17/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 350 MHz. Función: hFE 120...240. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD468. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V

Transistor NPN, 0.1A, SC-71, 60V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SC-71. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, D8/C, 30V/25V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D8/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/25V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: B647. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SD667. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 27pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SD669A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 55. Marcado en la caja: B668. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD718. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 7A, 170V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 170V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V/60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): MINI MOLD. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.7pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia máxima de hFE: 460. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 0.2A. Marcado en la caja: AQ. RoHS: NINCS. Spec info: transistor complementario (par) 2SD601. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V