transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: NF/L. Ganancia máxima de hFE: 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2390

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN ( MT-100 ). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. ¿Transistor Darlington?: 1. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 55 MHz. Función: hFE 5000. Ic (pulso): A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2390. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2394

Transistor NPN, 12A, 150V. Corriente del colector: 12A. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2401

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65 MHz. Función: hFE 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2438

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: hFE 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2439

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P ( SOT-93 ). Tensión colector/emisor Vceo: 110V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, 110V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Nota: >5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2495

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 45 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Función: Amplificador y regulador de potencia de audio HI-FI. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2560

Transistor NPN, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): MT-25 (TO220). Tensión colector/emisor Vceo: 110V. Costo): 100pF. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia mínima de hFE: 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD2589. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-1, 30 v, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-1. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.125W

Transistor NPN, 0.15A, 25V. Corriente del colector: 0.15A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: GE. Nota: >30. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 35V, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, 1.5A, 35V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 8 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 50V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 20W

Transistor NPN, soldadura de PCB, M17/J, 90V/80V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M17/J. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 90V/80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldadura de PCB, M17/J, 40V/20V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M17/J. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 20V/15V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V/15V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D17/C, 25V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D17/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 350 MHz. Función: hFE 120...240. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD468

Transistor NPN, 0.1A, SC-71, 60V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SC-71. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, D8/C, 30V/25V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D8/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/25V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: B647. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD667. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 27pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD669A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS