transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Bajo nivel de ruido, amplificador de audio.. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2275

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 60V/50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 40V/32V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/32V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 120V, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor PNP Darlington. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 8W

Transistor NPN, soldadura de PCB, M10/J, 100V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M10/J. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 140. Nota: serigrafía/código SMD BF. Marcado en la caja: BF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Spec info: transistor complementario (par) 2SD1623S. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Nota: serigrafía/código SMD BF. Marcado en la caja: BF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Función: Controladores de potencia media, solenoides, relés y actuadores y módulos CC/CC. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1623T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89 (SC-62). Tensión colector/emisor Vceo: 32V. Costo): 20pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 390. Ganancia mínima de hFE: 180. Marcado en la caja: BA. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: SMD BA0. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126ML. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 39pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.35V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 6V. Función: NF/SL. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1683. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): SC-67. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 50pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Función: NF-E-L. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 95pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: High-Current switching, low-sat. Identificación (diablillo): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 20 ns. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1804. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, 25V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 320 MHz. Función: Conmutación estroboscópica de alta corriente. Nota: hFE 140...280. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: TO-251 (I-Pak)

Transistor NPN, 3A, 110V. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 110V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: transistor paquete aislado. Nota: =4000. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): ATV. Tensión colector/emisor Vceo: 32V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 390. Ganancia mínima de hFE: 82. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: TU2. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V

Transistor NPN, 2A, 40V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Nota: hFE 180...390. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: 2SB1240R

Transistor NPN, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): ATV. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Ganancia máxima de hFE: 390. Ganancia mínima de hFE: 82. Ic (pulso): 4.5A. Marcado en la caja: B1243 (RN). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Amplificador de potencia de baja frecuencia. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1913

Transistor NPN, 3A, 100V. Corriente del colector: 3A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Nota: >2000. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, 120V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 12 MHz. Función: transistor paquete aislado. Nota: =10000. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 12 MHz. Ganancia máxima de hFE: 10000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1933

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 9 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1913

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TOP-3L. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Óptima para salida Hi-Fi de 120 W. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 3500. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington tipo planar de triple difusión . Tf(máx.): 1.2us. Tf(mín.): 1.2us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS