transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 70V/50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D18/C, 80V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D18/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D35/B, 20V/15V, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D35/B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V/15V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, 80V. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.15W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30V/20V, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Marcado del fabricante: silicio. Frecuencia de corte pies [MHz]: 0.03A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): PNP. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): 30 v

Transistor NPN, 1A, 40V. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Resistencia B: NINCS. Diodo BE: Transistor bipolar PNP. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): D8A/C. Diodo CE: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, 20V. Corriente del colector: 1A. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 4W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92L. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: NF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, D18/C, 40V/32V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D18/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/32V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: TV-HA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2073. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: audio/vídeo. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Spec info: 9 mm de altura. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: Proceso PCT. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 80. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2235-Y. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Bajo nivel de ruido, amplificador de audio.. Ganancia máxima de hFE: 700. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2240. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Bajo nivel de ruido, amplificador de audio.. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 3A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2275. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 60V/50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 40V/32V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V/32V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 120V, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor PNP Darlington. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 8W

Transistor NPN, soldadura de PCB, M10/J, 100V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: M10/J. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 140. Nota: serigrafía/código SMD BF. Marcado en la caja: BF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1623S. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Controladores de potencia media, solenoides, relés y actuadores y módulos CC/CC. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Nota: serigrafía/código SMD BF. Marcado en la caja: BF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1623T. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89 (SC-62). Tensión colector/emisor Vceo: 32V. Diodo BE: NINCS. Costo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 390. Ganancia mínima de hFE: 180. Marcado en la caja: BA. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: SMD BA0. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126ML. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 39pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: NF/SL. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1683. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.35V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 6V