transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 140mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Velocidad de conmutación rápida. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 100. Marcado en la caja: A1209. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.1us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2911

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): 2-5K1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 40pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: NY. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía / código SMD NY. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, D3/B, 30V/20V, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D3/B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO3P ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: HI-FI, NF-E. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3182. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 35 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3263

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): MT-100. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 35 MHz. Función: Audio de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 50. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tf(máx.): 1.5us. Tf(mín.): 0.35us. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3263. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 17A, 230V. Corriente del colector: 17A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 35 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3264. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: HIFI-NF-E. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3280

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: HIFI-NF-E. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3281

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corriente del colector: 14A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3284. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: transistor paquete aislado. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3298. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Io-sat. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3299

Transistor NPN, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F (2-8A1H). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3421Y. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 0.05A. Vivienda (según ficha técnica): 2-8H1A. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 2.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 80. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3423. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 200V. C(pulg): 1.7pF. Costo): 2.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Función: video. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO3P ). Vivienda (según ficha técnica): MT-100(TO3P). Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Marcado en la caja: A1386A. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Peso: 6g. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3519A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 60V/50V, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 5A, 35V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 170 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30V/25V, 300mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/25V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 180V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Marcado en la caja: A1492. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3856

Transistor NPN, 0.2A, TO-126F, TO-126F, 120V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 400 MHz. Función: Hi-def, Cre=2.2pF. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3953