transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 100pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 15. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementario (par) 2N6517. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: S-L, Low-sat. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2562. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: CTV-NF/VA. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: A1013. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2383. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: CTV-NF/VA. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 160. Marcado en la caja: A1013-Y. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2383. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92, 2-5F1B. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC1162. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: hFE.120-240. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: 1015 Y. Número de terminales: 3. Temperatura: +125°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC1815Y. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, RM-60, 120V, 12A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: RM-60. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 120W

Transistor NPN, 10A, 140V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2581. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 200V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 200V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 17A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Marcado del fabricante: silicio. Frecuencia de corte pies [MHz]: 17A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): PNP. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): 200V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 35V, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SA1120. Frecuencia de corte pies [MHz]: 170 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 130. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: A1123. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo cepilladora epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 60V/55V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/55V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: SOT-199. Vivienda (según ficha técnica): SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 90 MHz. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 15A. Marcado en la caja: A1141. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 0.1A, 180V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.05A, 150V. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Nota: 9mm. Marcado en la caja: A1145 O. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2705. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Función: VCE(sat) 2V max. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2706. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 35V/30V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V/30V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Resistencia B: 47. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 47. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Función: propósito general. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, D6/C, 30V/20V, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D6/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-236, 55V/50V, 150mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 55V/50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 150mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, 80V. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, 150V, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 150V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Corriente del colector: 0.07A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): SANYO--MP. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Conmutación de alto voltaje. Ic (pulso): 0.14A. Nota: 9 mm de altura. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2910. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.14V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): 2-5K1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: NY. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafía / código SMD NY. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V