transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.5A, 400V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: NF/S. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

Transistor NPN, 2A, 400V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: NF-S. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 150V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: TV-NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC4381

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Costo): 60pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Transistor PNP de alto voltaje para aplicaciones de audio y de uso general.. Ganancia mínima de hFE: 60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC4382. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 80V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: NF-L. Ganancia mínima de hFE: 50. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC4466

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 36pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: NF, lo-sat. Ganancia máxima de hFE: 270. Ganancia mínima de hFE: 120. Ic (pulso): 5A. Marcado en la caja: AG*. Equivalentes: LG 0TRRH80034A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC4672. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): 2-10R1A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 100. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC4793. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: TV, SL. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC5171. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1A. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Costo): 320pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: A1941. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 140V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC5198. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Costo): 360pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30MHz. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: A1943 (O). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC5200. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, -230V, -15A. Voltaje colector-emisor VCEO: -230V. Corriente del colector: -15A. Tipo de transistor: transistor PNP. Polaridad: PNP. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Frecuencia máxima: 30 MHz

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 25 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Función: NF-HI-FI. Spec info: transistor complementario (par) 2SC5242. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, 230V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC5359

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 50V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Convertidor DC-DC, fuente de alimentación TFT. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC5707

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ), 50V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Convertidor DC-DC, fuente de alimentación TFT. Ic (pulso): 11A. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SC5707

Transistor NPN, 20A, TO-220FP, TO-220F-3SG, 50V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-3SG. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 150. Ic (pulso): 25A. Marcado en la caja: A2210. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Velocidad: 6V. Función: Controladores de relés, controladores de lámparas, controladores de motores.. Spec info: transistor complementario (par) 2SC6082. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-1, 20V, 10mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-1. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.05W

Transistor NPN, 0.4A, 40V. Corriente del colector: 0.4A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-98, 35V/30V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-98. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V/30V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.4A, 30 v. Corriente del colector: 0.4A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Función: propósito general. Nota: hFE 70...140. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: 2SA562-O

Transistor NPN, 0.4A, 30 v. Corriente del colector: 0.4A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70 MHz. Función: propósito general. Nota: hFE 120...240. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Spec info: KTA562-Y

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-18, 60V/40V, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-18. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 4.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 560. Ganancia mínima de hFE: 160. Identificación (diablillo): 0.4A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 30V/25V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30V/25V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 60V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.15W