transistores bipolares PNP

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: sustituto

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Corriente del colector: 20mA. Vivienda: SOT-39. Vivienda (según ficha técnica): SOT-39. Tensión colector/emisor Vceo: 13V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: GE. FT: 1250 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.1W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 20V. Velocidad: 0.3V

Transistor NPN, TO39, -60V. Vivienda: TO39. Voltaje colector-emisor VCEO: -60V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 0.65W. Voltaje de base coleccionista VCBO: -60V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ancho de banda MHz: 50MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 30. Corriente máxima 1: -1A. Serie: BC

Transistor NPN, 0.1A, 45V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 120. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 460. Ganancia mínima de hFE: 180. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 280 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC212BG. Frecuencia de corte pies [MHz]: 280 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 350 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 20V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-18, 25V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-18. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.65 MHz. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.65 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.85W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC337-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: C32716. Frecuencia de corte pies [MHz]: 260 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: hFE 160-400. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC337-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: hFE 160-400. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC337-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC327-25. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC327-25. Frecuencia de corte pies [MHz]: 260 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC327-25. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC327-40. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: hFE 250-600. Ganancia máxima de hFE: 630. Ganancia mínima de hFE: 250. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC337-40. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V