transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 55. Marcado en la caja: B668. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD718

Transistor NPN, 7A, 170V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 170V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V/60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): MINI MOLD. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Costo): 2.7pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia máxima de hFE: 460. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 0.2A. Marcado en la caja: AQ. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD601. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, D8/C, 35V, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D8/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 35V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soldadura de PCB, D17/C, 60V/50V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D17/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V/50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 3A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 3A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SD882

Transistor NPN, 12A, TO-3PN, 160V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1047. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: 10. Resistencia BE: 47. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1133

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Resistencia B: 10. Resistencia BE: 47. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: transistor PNP. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1138. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, D17/C, 80V/50V, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D17/C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V/50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor PNP Darlington. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 560. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 4A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1207

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 45V/40V, 300mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V/40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 80V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A743. Frecuencia de corte pies [MHz]: 120 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: sustituto

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Corriente del colector: 20mA. Vivienda: SOT-39. Vivienda (según ficha técnica): SOT-39. Tensión colector/emisor Vceo: 13V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: GE. FT: 1250 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.1W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 20V. Velocidad: 0.3V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 32V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 32V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: B891F. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Resistencia B: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): 180pF. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: 1A. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): +175°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(máx.): 650 ns. Tf(mín.): 500 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC141. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 45V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 120. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Costo): 4pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 460. Ganancia mínima de hFE: 180. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: transistor PNP. Resistencia BE: -50V. C(pulg): -0.1A. Costo): 1W. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 280 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC212BG. Frecuencia de corte pies [MHz]: 280 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corriente del colector: 0.2A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 350 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Diodo CE: sí