transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: caja aislada. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 12 MHz. Función: NF-L. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 20. Velocidad: 1.5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 62.5W. RoHS: sí. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

FT: 10 MHz

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD652. Disipación máxima Ptot [W]: 62.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD678. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD678. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD680. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 14W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD679A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, -100V, -4A, TO-126. Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: -4A. Vivienda: TO-126. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: PNP. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporado: sí. Potencia: 40W

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD682G. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 120V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD810G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 1.5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 90W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-202. Vivienda (según ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 75 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Spec info: transistor complementario (par) BD829. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, 100V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) BD901. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, 45V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD911. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Resistencia B: Potencia. Resistencia BE: TO220. C(pulg): 90W. Costo): -100V

Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD911. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, 45V. Corriente del colector: 5A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDP950. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: sí. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 20A. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDT65C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tf(máx.): 2.5us. Tf(mín.): 0.5us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 2.5V

Transistor NPN, 15A, 100V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: 130.42144. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Corriente del colector: 10A. RoHS: sí. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDV65B. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3