transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD243C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) BD245C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) BD245C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BD249C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BD249C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BD249C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-93. Vivienda (norma JEDEC): SOT-93. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD250C. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 32V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 32V. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD438. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 130. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementario (par) BD437. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD440. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD442. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementario (par) BD441. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: caja aislada. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 12 MHz. Función: NF-L. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 20. Velocidad: 1.5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 62.5W. RoHS: sí. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD652. Disipación máxima Ptot [W]: 62.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD678. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia mínima de hFE: 750. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD677A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: hFE 750. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD679. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 14W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD679A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD682. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD681. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD682G. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 120V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD810G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 1.5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 90W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C