transistores bipolares PNP

Transistor NPN, TO-126, 80V, 1.5A, -80V, -1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. Voltaje colector-emisor VCEO: -80V. Corriente del colector: -1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Marcado del fabricante: BD140-16. Disipación máxima Ptot [W]: 12.5W. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 12.5W. Frecuencia máxima: 50MHz. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementario (par) BD139-16

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD139. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, 45V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 2A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-126. Costo): SOT-32. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Aplicaciones de audio, alimentación lineal y conmutación.. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD237. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD238G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, -80V, -2A, TO-126. Voltaje colector-emisor VCEO: -80V. Corriente del colector: -2A. Vivienda: TO-126. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 25W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD239C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD241C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 3A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD242CG. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD244C. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 15. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD243C

Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 6A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia B: Transistor de potencia. Resistencia BE: -100V. C(pulg): -6A. Costo): 65W. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD243C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) BD245C. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) BD245C. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) BD249C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) BD249C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 115V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementario (par) BD249C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-93. Vivienda (norma JEDEC): SOT-93. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD250C. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126, 32V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 32V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 32V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD438. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, -45V, -4A, TO-126, 4A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Voltaje colector-emisor VCEO: -45V. Corriente del colector: -4A. Vivienda: TO-126. Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 36W. Frecuencia máxima: 3MHz. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 130. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BD437

Transistor NPN, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Voltaje colector-emisor VCEO: -45V. Corriente del colector: -4A. Vivienda: TO-126 FULLPACK. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 36W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD440. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD442. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V. Spec info: transistor complementario (par) BD441

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: caja aislada. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 12 MHz. Función: NF-L. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 20. Velocidad: 1.5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 62.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms)