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Semiconductores Transistores
transistores bipolares PNP

transistores bipolares PNP

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BD250C-S

BD250C-S

Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: S...
BD250C-S
Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-93. Vivienda (norma JEDEC): SOT-93. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD250C. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BD250C-S
Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-93. Vivienda (norma JEDEC): SOT-93. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD250C. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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6.21€ IVA incl.
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6.21€
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BD436

BD436

Transistor NPN, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V, 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Viviend...
BD436
Transistor NPN, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V, 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 32V. Corriente del colector: 4A. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementario (par) BD435. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
BD436
Transistor NPN, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V, 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 32V. Corriente del colector: 4A. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementario (par) BD435. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
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(0.63€ sin IVA)
0.76€
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BD438

BD438

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-1...
BD438
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. RoHS: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 130. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementario (par) BD437. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1
BD438
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. RoHS: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 130. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 7A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: transistor complementario (par) BD437. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1
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BD438STU

BD438STU

Transistor NPN, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Voltaje colector-emisor VCEO: -45V. Corriente del colect...
BD438STU
Transistor NPN, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Voltaje colector-emisor VCEO: -45V. Corriente del colector: -4A. Vivienda: TO-126 FULLPACK. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 36W. Frecuencia máxima: 3MHz
BD438STU
Transistor NPN, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Voltaje colector-emisor VCEO: -45V. Corriente del colector: -4A. Vivienda: TO-126 FULLPACK. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 36W. Frecuencia máxima: 3MHz
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BD440

BD440

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-...
BD440
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD440. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BD440
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD440. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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BD442

BD442

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-...
BD442
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD442. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BD442
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD442. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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0.64€ IVA incl.
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BD442F

BD442F

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (...
BD442F
Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: caja aislada. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
BD442F
Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Spec info: caja aislada. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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BD534

BD534

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (seg...
BD534
Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 12 MHz. Función: NF-L. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 20. Velocidad: 1.5V
BD534
Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 12 MHz. Función: NF-L. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensión de saturación VCE(sat): 20. Velocidad: 1.5V
Conjunto de 1
0.96€ IVA incl.
(0.79€ sin IVA)
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Cantidad en inventario : 37
BD646

BD646

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (seg...
BD646
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 62.5W. RoHS: sí. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V
BD646
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 62.5W. RoHS: sí. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V
Conjunto de 1
0.79€ IVA incl.
(0.65€ sin IVA)
0.79€
Cantidad en inventario : 17
BD652-S

BD652-S

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda...
BD652-S
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD652. Disipación máxima Ptot [W]: 62.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BD652-S
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD652. Disipación máxima Ptot [W]: 62.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
Conjunto de 1
1.72€ IVA incl.
(1.42€ sin IVA)
1.72€
Cantidad en inventario : 40
BD664

BD664

Transistor NPN, 10A, 45V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad ...
BD664
Transistor NPN, 10A, 45V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tipo de transistor: PNP
BD664
Transistor NPN, 10A, 45V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tipo de transistor: PNP
Conjunto de 1
1.03€ IVA incl.
(0.85€ sin IVA)
1.03€
Cantidad en inventario : 305
BD678

BD678

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-...
BD678
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD678. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BD678
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD678. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
Conjunto de 1
0.74€ IVA incl.
(0.61€ sin IVA)
0.74€
Cantidad en inventario : 5
BD678A

BD678A

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-1...
BD678A
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia mínima de hFE: 750. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD677A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Velocidad: 5V
BD678A
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia mínima de hFE: 750. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD677A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Velocidad: 5V
Conjunto de 1
0.56€ IVA incl.
(0.46€ sin IVA)
0.56€
Cantidad en inventario : 242
BD680

BD680

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-...
BD680
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD680. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BD680
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD680. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
Conjunto de 1
0.74€ IVA incl.
(0.61€ sin IVA)
0.74€
Cantidad en inventario : 4
BD680-DIV

BD680-DIV

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-1...
BD680-DIV
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
BD680-DIV
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
Conjunto de 1
0.51€ IVA incl.
(0.42€ sin IVA)
0.51€
Cantidad en inventario : 4
BD680A

BD680A

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (...
BD680A
Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 14W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD679A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Velocidad: 5V
BD680A
Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 14W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD679A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Velocidad: 5V
Conjunto de 1
0.86€ IVA incl.
(0.71€ sin IVA)
0.86€
Cantidad en inventario : 52
BD682

BD682

Transistor NPN, 100V, 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Corriente del colector: 4A. Pd (disip...
BD682
Transistor NPN, 100V, 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Corriente del colector: 4A. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD681. Tipo de transistor: PNP. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia mínima de hFE: 750
BD682
Transistor NPN, 100V, 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Corriente del colector: 4A. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) BD681. Tipo de transistor: PNP. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia mínima de hFE: 750
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BD682G

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO...
BD682G
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD682G. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BD682G
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD682G. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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Transistor NPN, 4A, 120V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transis...
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Transistor NPN, 4A, 120V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP
BD684
Transistor NPN, 4A, 120V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO...
BD810G
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD810G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 1.5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 90W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
BD810G
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD810G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 1.5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 90W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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BD830

BD830

Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-202. Viv...
BD830
Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-202. Vivienda (según ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 75 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Spec info: transistor complementario (par) BD829. Tipo de transistor: PNP
BD830
Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-202. Vivienda (según ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 75 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Spec info: transistor complementario (par) BD829. Tipo de transistor: PNP
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BD902

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Transistor NPN, 8A, 100V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transis...
BD902
Transistor NPN, 8A, 100V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) BD901. Tipo de transistor: PNP
BD902
Transistor NPN, 8A, 100V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Función: NF-L. Nota: >750. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementario (par) BD901. Tipo de transistor: PNP
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BD906

BD906

Transistor NPN, 15A, 45V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo CE:...
BD906
Transistor NPN, 15A, 45V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Tipo de transistor: PNP
BD906
Transistor NPN, 15A, 45V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (...
BD912
Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD911. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): TO-220AB
BD912
Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD911. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): TO-220AB
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BD912-ST

BD912-ST

Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: T...
BD912-ST
Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD911. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
BD912-ST
Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF/L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD911. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP
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