transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-93. Vivienda (norma JEDEC): SOT-93. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW84D. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 1 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Número de terminales: 3. Función: hFE 750 (@3V, 6A). Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BDW83D

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor PNP Darlington. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDW94C. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: transistor complementario (par) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Función: transistor complementario (par) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Resistencia B: 10k Ohms. Resistencia BE: 150 Ohms. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Ganancia máxima de hFE: 750. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. C(pulg): sí. Costo): -100V. Número de terminales: 3. Función: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementario (par) BDX33C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BDX34CG. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Acondicionamiento: tubo de plástico. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Fecha de producción: 2014/32. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistores Darlington de potencia complementaria. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Resistencia B: Transistor de potencia Darlington. Resistencia BE: transistor Darlington. C(pulg): -100V. Costo): -8A. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: transistor complementario (par) BDX53C. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: amplificador de audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Resistencia BE: R1 typ. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Función: Transistores Darlington de potencia complementaria. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BDX53F. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Función: hFE 1000. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BDX67C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 7 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Función: hFE 1000. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BDX67C

Transistor NPN, 4A, 50V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Material semiconductor: silicio. FT: 450 MHz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 830mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BF420. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BF422

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BF450. Frecuencia de corte pies [MHz]: 350 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Material semiconductor: silicio. FT: 350 MHz. Función: Etapas HF e IF en receptores de radio. Ganancia máxima de hFE: 90. Ganancia mínima de hFE: 30. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.03A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 0.03A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) BF471

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corriente del colector: 50mA. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Material semiconductor: silicio. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corriente del colector: 50mA. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Material semiconductor: silicio. Función: VHF/UHF-V. Tipo de transistor: PNP. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, -250V, -0.5A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: -250V. Corriente del colector: -0.5A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 0.8W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Costo): 1.6pF. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 30mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Material semiconductor: silicio. FT: 550 MHz. Función: VHF-V. Ganancia mínima de hFE: 25. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 35V. Velocidad: 4 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Material semiconductor: silicio. FT: 700 MHz. Función: Oscilador VHF. Ganancia mínima de hFE: 30. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1