transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 350 MHz. Función: Etapas HF e IF en receptores de radio. Ganancia máxima de hFE: 90. Ganancia mínima de hFE: 30. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v

Transistor NPN, 0.03A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corriente del colector: 0.03A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Spec info: transistor complementario (par) BF471. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corriente del colector: 50mA. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corriente del colector: 50mA. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: VHF/UHF-V. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, -250V, -0.5A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: -250V. Corriente del colector: -0.5A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 0.8W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 30mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 550 MHz. Función: VHF-V. Ganancia mínima de hFE: 25. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 35V. Velocidad: 4 v

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Cantidad por caja: 1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 700 MHz. Función: Oscilador VHF. Ganancia mínima de hFE: 30. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-89. Vivienda (norma JEDEC): TO-243. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: DB. Frecuencia de corte pies [MHz]: 60 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Corriente del colector: 0.03A. Vivienda: SOT-39. Vivienda (según ficha técnica): SOT-39. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 900 MHz. Función: UHF-M/O. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: 1W. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 1W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 20V, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 20V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Transistor bipolar PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN. Cantidad por caja: 1. Función: UHF-V

Transistor NPN, 30mA, TO-50, TO-50, 40V. Corriente del colector: 30mA. Vivienda: TO-50. Vivienda (según ficha técnica): TO-50. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 900 MHz. Función: UHF-M/O. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.15W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 30mA, 20V. Corriente del colector: 30mA. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: UHF-V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-264. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BFN37. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 12V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 35mA. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor PNP de alta frecuencia. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: X1p. Frecuencia de corte pies [MHz]: 5GHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 150 Ohms. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: alta corriente CC, controladores de relé, controladores de lámpara. Ganancia máxima de hFE: 2000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 2A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Spec info: transistor complementario (par) BSP50. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP62. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 1.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: hFE 50...300. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Spec info: serigrafía/código CMS T8. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V

Transistor NPN. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Función: VHR758 EV

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) CSD1133. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 20A. Equivalentes: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: par D44H11. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(mín.): 100 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: D45H11G. Frecuencia de corte pies [MHz]: 40 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C