transistores bipolares PNP

Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Resistencia B: Transistor de potencia. Resistencia BE: -70V. C(pulg): -10A. Costo): 90W. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: para amplificadores de audio de alta fidelidad y reguladores de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE2955TG. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia PNP

Transistor NPN, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. Voltaje colector-emisor VCEO: -300V. Corriente del colector: -0.5A. Vivienda: TO-126. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE350. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 20.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 240. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Velocidad: 3V. Spec info: transistor complementario (par) MJE340

Transistor NPN, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 0.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). C(pulg): 7pF. Costo): 110pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Equivalentes: KSE350. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Velocidad: 3V. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Nota: carcasa de plastico. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 3V. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. Voltaje colector-emisor VCEO: -300V. Corriente del colector: -0.5A. Vivienda: TO-126. Marcado del fabricante: MJE350G. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: PNP. Potencia: 20W. Frecuencia máxima: 10MHz. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 400V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, TO-220, 400V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 400V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE5852G. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, -80V, -4A, TO-126. Voltaje colector-emisor VCEO: -80V. Corriente del colector: -4A. Vivienda: TO-126. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: PNP. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 40W. Frecuencia máxima: 1MHz

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 260V. Costo): 1.7pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: hFE 45(min). Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 45. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJL3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO–3PBL. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJL21194. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 35 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon Power Bipolar Transistor. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Función: Audio potente, baja distorsión armónica. Spec info: transistor complementario (par) MJL4281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Transistor de potencia bipolar complementario. Fecha de producción: 201446. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Tecnología: Transistor bipolar de potencia. Spec info: transistor complementario (par) MJW3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Excelente linealidad de ganancia. Fecha de producción: 2015/04. Ganancia máxima de hFE: 80. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJW21196. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2F. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2A. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP. Marcado en la caja: 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 75 ns. Tf(mín.): 35 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Spec info: SMD 2A

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 40V, 600mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2T. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 30. Marcado en la caja: 2T. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 150V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2L. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2GM. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2GM. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 170pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Nota: 2D. Marcado en la caja: 2D. Equivalentes: PMBTA92.215. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MMBTA42. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2D. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2D. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP