transistores bipolares PNP

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 40V, 600mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2T. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 30. Marcado en la caja: 2T. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 150V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2L. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2GM. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2GM. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 170pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de amplificador de alto voltaje (versión SMD del transistor MPSA42). Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Nota: 2D. Marcado en la caja: 2D. Equivalentes: PMBTA92.215. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MMBTA42. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2D. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2D. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A6A. Disipación máxima Ptot [W]: 0.24W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A6E. Disipación máxima Ptot [W]: 0.24W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MPSA92. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92AMMO. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: NF-TR. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementario (par) MPSA06. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MPSA56. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 2. Material semiconductor: silicio. FT: 125 MHz. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 5000. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Transistor de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MPSA42. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 60pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 4.5pF. Costo): 10pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 75. Ic (pulso): 30A. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) NJW0281. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 9pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30MHz. Función: amplificador de potencia de audio. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 75. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) NJW3281. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3P, 250V, 16A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3P. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: NJW21193G. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, 60V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2.5 MHz. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementario (par) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.3V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT89 (SC-62). Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 85pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 110 MHz. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 80. Ic (pulso): 15A. Nota: PBSS4041NX. Marcado en la caja: 6g. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Spec info: serigrafía/código SMD 6G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 75 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 60mV. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 300mV. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 29pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 800mA. Marcado en la caja: *T2, P2T, T2T, W2T. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementario (par) PMBT4401. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 350 ns. Tf(mín.): 40 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 75pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Amplificador de propósito general. Spec info: hFE 80...450. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Amplificador de propósito general. Spec info: hFE 240...600. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92AMMO. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 30pF. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Amplificador de propósito general. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 75. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V