Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 10nA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 600pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. DI (T=100°C): 3.8A. IDss (mín.): 1nA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.2W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 5.3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.055 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: V-MOS. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI9953DY. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 40 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 335pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. IDss (mín.): 0.1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): PG-TO220-3. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 335pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32.5A. DI (T=100°C): 6.2A. IDss (mín.): 0.1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Función: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=25°C): 18.7A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 230pF. Costo): 95pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora nominal dv/dt. Protección G-S: diodo. Identificación (diablillo): 74.8A. DI (T=100°C): 13.2A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 18P06P. Pd (disipación de potencia, máx.): 81W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.102 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.7V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 340pF. Costo): 40pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 40A. DI (T=100°C): 7.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 10P6F6. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 64 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: MOSFET de potencia STRipFET™ II de carga de puerta baja. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 80A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 5500pF. Costo): 1130pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 320A. DI (T=100°C): 57A. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: STripFETTM II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -60V, -53A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SUP53P06-20. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 104W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -4.9A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 75 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 745pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 30A, TO-220AB, -100V. Corriente máxima de drenaje: 30A. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): -100V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: P. Potencia: 125W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.056 Ohms

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-92, -100V, -0.23A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: ZVP2110A. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 12 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 100pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -60V, -0.09A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: ZVP3306F. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 8 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 50pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.33W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-92, -240V, -0.2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.0V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C