Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (máx.): 60mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 11pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. IDss (mín.): 7mA. IGF: 50mA. Nota: serigrafía/código SMD 6W. Marcado en la caja: 6W. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: P-Channel Switch. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 6V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3V

Transistor de canal P, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 20mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 25V. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. IDss (mín.): 1.5mA. IGF: 50mA. Nota: serigrafía/código SMD 6Y. Marcado en la caja: 6Y. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: P-Channel Switch. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.8V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -30V. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor JFET de canal P. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6Y. Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 3 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 7 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 45pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -500V, -2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MTP2P50EG. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 24 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 42 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1183pF. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -30V, -50A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: M50P03HDLG. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 117 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4900pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -20V, -24A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: NDP6020P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -0.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 250 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1590pF. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. DI (T=25°C): 0.12A. Idss (máx.): 200uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 79pF. Costo): 10pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Interruptor de señal pequeña de canal P controlado por voltaje, diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1A. IDss (mín.): 1uA. Nota: serigrafía/código SMD 610. Marcado en la caja: 610. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.36W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 2.5 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: SSOT. Vivienda (según ficha técnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 195pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 1uA. IGF: 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 8 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -30V, -0.9A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: NDS352APRL. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 135pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 2.3A, SO, SO-8, 60V. DI (T=25°C): 2.3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2500. Cantidad por caja: 2. Función: Doble canal P y P de 60 V. Identificación (diablillo): 10A. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: 2xP-CH 60V. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, -30V, -5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: NDT452AP. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 690pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, -30V, -7.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: NDT456P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1440pF. Disipación máxima Ptot [W]: 3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 20P06LG. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1190pF. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 60V. RoHS: sí. C(pulg): 500pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: NT2955. Pd (disipación de potencia, máx.): 55W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.155 Ohms. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -12A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: NT2955G. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 750pF. Disipación máxima Ptot [W]: 55W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 500pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 50us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: ID pulse 36A/10ms. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: NT2955. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 55W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.155 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, SO, SOP-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SOP-8. Cantidad por caja: 2. Función: 27.5 & 34m Ohms). Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P

Transistor de canal P, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 690pF. Costo): 310pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 15.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Mejora del nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 32A. DI (T=100°C): 6A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 28W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.065 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19.8 ns. Td(encendido): 6.7 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 125us. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 20A. DI (T=100°C): 6A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: D8P05. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 20A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: Power MOSFET MegaFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, TO-220FP, TO-220F, 630V. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 630V. C(pulg): 1250pF. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: P. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 200A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 20 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): TSMT6. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 780pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC-CC. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: TM. Número de terminales: 6. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Resistencia en encendido Rds activado: 65m Ohms. RoHS: sí. Paso: 2.9x1.6mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 4.4A, 4.4A, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 4.4A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 3.3A. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Advanced Power MOSFET

Transistor de canal P, 3A, 3A, 200V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Pd (disipación de potencia, máx.): 28W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Tecnología: V-MOS (F)

Transistor de canal P, 3.4A, 3.4A, 250V. DI (T=25°C): 3.4A. Idss (máx.): 3.4A. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 2.6A. Nota: On 13ns, Off 40ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3 Ohms. Tecnología: V-MOS TO220F