Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 350pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. DI (T=100°C): 8A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.175 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FR9024N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Disipación máxima Ptot [W]: 38W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FR9024N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Disipación máxima Ptot [W]: 38W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -8.8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFR9024PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 570pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 5.6A. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 3.6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.6 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET

Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 350pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 26A. DI (T=100°C): 4.2A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -100V, -6.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FR9120N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 28 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK ( TO-252AA ). Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 340pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: relación dinámica dv/dt, conmutación rápida. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 14A. DI (T=100°C): 2.3A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 7.3 ns. Td(encendido): 8.8 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -200V, -3.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFR9220PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 7.3 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 340pF. Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 570pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 35A. DI (T=100°C): 5.6A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 350pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. DI (T=100°C): 8A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.175 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -20V, -24A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L5602S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 53 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1460pF. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -30V, -0.76A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: D. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 75pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.54W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 510pF. Costo): 71pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 24A. DI (T=100°C): 2.4A. IDss (mín.): 1uA. Nota: serigrafía/código SMD H. Marcado en la caja: H. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.098 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -30V, -3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 350 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 12 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 88pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -20V, -0.62A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: C. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 22 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 97pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.54W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. DI (T=25°C): 3.7A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 633pF. Costo): 145pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 22A. DI (T=100°C): 2.2A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.05 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 588 ns. Td(encendido): 350 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) máx.: 1.2V. Vgs(th) mín.: 0.4V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -20V, -3.7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 350 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 588 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 633pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23/6, -20V, -5.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23/6. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Marcado del fabricante: 2E. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1079pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2560pF. Costo): 210pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Función: C2-Class High Speed IGBT. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 33A. Nota: caja aislada. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 18 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 12pF. Costo): 2210pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: P-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 270A. IDss (mín.): 50uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 890W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 89 ns. Td(encendido): 32 ns. Tecnología: PolarPTM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-92, -30V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor JFET de canal P. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: J175. Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (máx.): 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: VGS(off) 1V...4V. IDss (mín.): 2mA. IGF: 50mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. Resistencia en encendido Rds activado: 250 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: P-Channel Switch. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1V

Transistor de canal P, 5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (máx.): 5mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 1mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 6E. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Amplificador J-FET.. Tensión puerta/fuente Vgs: 4 v. Vgs(th) mín.: 6V

Transistor de canal P, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (máx.): 9mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 2mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 61U. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 61U. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Amplificador J-FET.. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 4.5V. Vgs(th) mín.: 7.5V