Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -100V, -6.8A, 40W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Vivienda (norma JEDEC): 40W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF9520. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 28 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -6.8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F9520. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 28 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -100V, -6.8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF9520PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 390pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 860pF. Costo): 340pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 48A. DI (T=100°C): 8.2A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 88W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 760pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 56A. DI (T=100°C): 10A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, TO-220AB, -100V, -14A, 14A, -100V. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Corriente máxima de drenaje: 14A. Tensión drenaje-fuente (Vds): -100V. Marcado del fabricante: IRF9530. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 760pF. Disipación máxima Ptot [W]: 79W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: P. Potencia: 75W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1400pF. Costo): 590pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 72A. DI (T=100°C): 13A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 34 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 23A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1300pF. Costo): 400pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 76A. DI (T=100°C): 16A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.117 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 51 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 23A, -100V, TO-220AB <.45/32nsec. Corriente máxima de drenaje: 23A. Tensión drenaje-fuente (Vds): -100V. Vivienda: TO-220AB <.45/32nsec. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: P. Potencia: 125W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.117 Ohms

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -100V, -23A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF9540. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 51 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 140W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 170pF. Costo): 50pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 7A. DI (T=100°C): 1A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -200V, -1.8A, 20W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Vivienda (norma JEDEC): 20W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF9610PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 170pF. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 350pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Identificación (diablillo): 14A. DI (T=100°C): 2A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -200V, -3.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF9620PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 1.5A. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal P, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 700pF. Costo): 200pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 26A. DI (T=100°C): 4A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 6.5A, TO-220AB, -200V. Corriente máxima de drenaje: 6.5A. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): -200V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: P. Potencia: 75W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, -200V, -6.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF9630PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 28 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 74W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1200pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 44A. DI (T=100°C): 6.6A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Potencia: 125W. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, TO-220AB, -200V, -11A, 11A, -200V. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corriente máxima de drenaje: 11A. Tensión drenaje-fuente (Vds): -200V. Marcado del fabricante: IRF9640PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: P. Potencia: 125W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.5 Ohms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -200V, -11A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F9640S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -2.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F9953. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 190pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 350pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 48A. DI (T=100°C): 8.5A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.175 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 620pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Identificación (diablillo): 68A. DI (T=100°C): 14A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, TO-220AB, -55V, -19A, 17A, -55V. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Corriente máxima de drenaje: 17A. Tensión drenaje-fuente (Vds): -55V. Marcado del fabricante: IRF9Z34NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 620pF. Disipación máxima Ptot [W]: 68W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: P. Potencia: 56W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C