Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Función: 2xP-CH 20V. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7204. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 150 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 860pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 870pF. Costo): 720pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 15A. DI (T=100°C): 3.7A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -12V, -6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7233. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 26 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 77 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -12V, -9.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7233. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 26 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 77 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Función: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -20V, -4.7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7304. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.4 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 51 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 610pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -3.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7306. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 440pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Función: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7314. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 63 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 780pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Función: IDM--30Ap. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -3.9A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7316. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 51 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 710pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 2. Función: Transistor Mosfet de doble canal P, Resistencia RDS ultrabaja. Identificación (diablillo): 32A. DI (T=100°C): 6.4A. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.017 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de transistor: PNP & PNP

Transistor de canal P, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 2. Función: IDM--27Ap. Equivalentes: IRF7342PBF. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7342. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 64 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 690pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7342. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 64 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 690pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1700pF. Costo): 890pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 45A. DI (T=100°C): 7.1A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 59 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) máx.: 2.04V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -10A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7416. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.04V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 18 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 59 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -11A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7424. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.04V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 150 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4030pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 15A, 25uA, SO, SO-8, 20V. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 7980pF. Costo): 1480pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60A. DI (T=100°C): 12A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.082 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 230 ns. Td(encendido): 13 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 1.2V. Vgs(th) mín.: 0.45V

Transistor de canal P, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V. DI (T=25°C): 11A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1200pF. Costo): 570pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 270ms. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. DI (T=100°C): 7A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Resistencia en encendido Rds activado: 50M Ohms. RoHS: sí. Spec info: HEXFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 85 ns. Td(encendido): 38 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 150uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: circuitos de conmutación de portátiles. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 160A. DI (T=100°C): 7.1A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.039 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia HEXFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.3V

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-220AB, 1, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): 1. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF9510PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 43W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V

Transistor de canal P, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 390pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 98 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 27A. DI (T=100°C): 4.8A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.6 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 9.6 ns. Tecnología: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 350pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 27A. DI (T=100°C): 4.1A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V