Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, -100V, -0.68A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP316. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 370pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, -250V, -0.26A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP92P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 101 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 104pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-92, -50V, -170mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSS110. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 45pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.63W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 130mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 25pF. Costo): 15pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Identificación (diablillo): 520mA. DI (T=100°C): 75mA. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 11W. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Resistencia en encendido Rds activado: 6 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 7 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: Transistor D-MOS vertical en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Spec info: serigrafía/código SMD 11W. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 13. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 3 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 7 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 45pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.18A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: VS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 48 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 36pF

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: Pd (disipación de potencia, máx.). Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 3.6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 12 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 36pF

Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 734pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 120ns. Tecnología: Transistor de potencia MOSFET de canal P. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.15V. Número de terminales: 2. Spec info: transistor complementario (par) BUZ901. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1802pF. Costo): 415pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. DI (T=100°C): 9A. Marcado en la caja: P3020LS. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0116 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 5.1 ns. Tecnología: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Varios: Velocidad de conmutación rápida, baja fuga de entrada/salida. Función: Baja resistencia de encendido, voltaje de umbral de puerta bajo, capacitancia de entrada baja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Voltaje Vds(máx.): 200V. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(pulg): 1850pF. Costo): 850pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 105 ns. Td(encendido): 150 ns. Tecnología: Transistor de potencia MOSFET de canal P. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.1V. Spec info: transistor complementario (par) ECW20N20. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tecnología: Transistor de potencia MOSFET de canal P. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementario (par) ECX10N20. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): SUPERSOT-6. Voltaje Vds(máx.): 35V. C(pulg): 530pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Nota: serigrafía/código SMD 365P. Marcado en la caja: 365 P. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: PowerTrench® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Inversores, fuentes de alimentación. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23/6, -20V, -4.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23/6. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Marcado del fabricante: .638. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 33 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1160pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): SUPERSOT-6. Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 700pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Nota: serigrafía/código SMD 642. Marcado en la caja: 642. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Función: interruptor de carga, protección de batería. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SSOT. Vivienda (según ficha técnica): SUPERSOT-6. Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 630pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 250uA. Nota: serigrafía/código SMD FDC642P. Marcado en la caja: FDC642P. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.2W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0525 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 23.5 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Función: interruptor de carga, protección de batería. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 58A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 2085pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Tecnología de zanjas de alto rendimiento . Identificación (diablillo): 100A. DI (T=100°C): 50A. Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Marcado en la caja: FDD4141. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 69W. Resistencia en encendido Rds activado: 12.3m Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Resistencia RDS(on) extremadamente baja. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. RoHS: sí. C(pulg): 759pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Identificación (diablillo): 45A. DI (T=100°C): 15A. IDss (mín.): 1uA. Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Marcado en la caja: FDD5614P. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.076 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1715pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Identificación (diablillo): 100A. DI (T=100°C): 11A. Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 52W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -12V, -2.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 306. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 61 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1138pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. DI (T=25°C): 1.6A. Idss (máx.): 0.1uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 451pF. Costo): 75pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Gestión de batería. Identificación (diablillo): 5A. IDss (mín.): n/a. Nota: serigrafía/código SMD 338. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.088 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Specified PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V

Transistor de canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. DI (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 182pF. Costo): 56pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Single P-Channel, Logic Level. Identificación (diablillo): 5A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 358. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.105 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -60V, -1.25A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 618. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 16.5 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 430pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1604pF. Costo): 408pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.015 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 13 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: canal P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2010pF. Costo): 590pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.015 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 12 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: canal P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1385pF. Costo): 275pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: controlador de carga de batería. Identificación (diablillo): 50A. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: canal P. Spec info: Nivel de protección ESD de HBM de 3,8 kV. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: sí