Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, SO, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 2. Función: MOSFET de canal P dual PowerTrench 30V. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: canal P

Transistor de canal P, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: canal P

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -11A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 200 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2470pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2890pF. Costo): 500pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 65A. DI (T=100°C): n/a. IDss (mín.): n/a. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 7.7m Ohms. RoHS: sí. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, SO, SO-8, 30 v, 5.3A, 100nA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 100nA. RoHS: sí. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. C(pulg): 528pF. Costo): 132pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 14 ns

Transistor de canal P, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 2. Función: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Spec info: 0.075 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -25V, -0.46A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.46A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 304. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.87 Ohms @ -0.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 63pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 2550pF. Costo): 710pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 198 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 144A. DI (T=100°C): 25.5A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 294W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.076 Ohms. RoHS: sí. Spec info: carga de puerta baja (típica 81 nC). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 155 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: Tecnología DMOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1100pF. Costo): 510pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 102A. DI (T=100°C): 19.1A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.055 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO220. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 510pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10.8A. DI (T=100°C): 1.71A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Resistencia en encendido Rds activado: 3.9 Ohms. RoHS: sí. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal P, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 9.4A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 420pF. Costo): 195pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 83 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 37.6A. DI (T=100°C): 5.95A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 6.5 ns. Tecnología: DMOS POWER-MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal P, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1C ). Tensión colector/emisor Vceo: 250V. C(pulg): 1450pF. Costo): 450pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: P. Función: Transistor MOS IGBT de canal P. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 20A. Ic (pulso): 60A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Spec info: amplificador de audio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V

Transistor de canal P, 74A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 74A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3400pF. Costo): 1400pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 89 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 260A. DI (T=100°C): 52A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, TO220AB. Vivienda: TO220AB. Serie: HEXFET. Polaridad: MOSFET P. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -55V. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 74A. Voltaje de accionamiento: 10V. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Tipo de montaje: THT

Transistor de canal P, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V, 70A, 250uA. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. C(pulg): 3400pF. Costo): 1400pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 89 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, resistencia de encendido ultrabaja. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 260A. DI (T=100°C): 42A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F4905S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 51 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 2700pF. Costo): 790pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 140A. DI (T=100°C): 29A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.06 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 79 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, -100V, 40A, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): -100V. Corriente máxima de drenaje: 40A. Vivienda: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: P. Resistencia en encendido Rds activado: 0.06 Ohms

Transistor de canal P, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 2860pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 140A. DI (T=100°C): 24A. IDss (mín.): 50uA. Marcado en la caja: F5210S. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.8W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -40A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F5210S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 79 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1200pF. Costo): 520pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 71 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 110A. DI (T=100°C): 22A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.06 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, -55V, 31A, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): -55V. Corriente máxima de drenaje: 31A. Vivienda: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: P. Potencia: 110W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.06 Ohms

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F5305S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 110W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F5305S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 110W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 860pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 160 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. DI (T=100°C): 9A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.29 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 53 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V