Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 620pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Identificación (diablillo): 68A. DI (T=100°C): 14A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -19A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F9Z34NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 620pF. Disipación máxima Ptot [W]: 68W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 270pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 100dB. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: FET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Identificación (diablillo): 8.8A. DI (T=100°C): 0.8A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 1.1A, DIP-4, -60V. Corriente máxima de drenaje: 1.1A. Vivienda: DIP-4. Tensión drenaje-fuente (Vds): -60V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: P. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms

Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 570pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 100dB. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: FET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 13A. DI (T=100°C): 1.1A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB, HD-1, -60V, -1.6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: HD-1. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: IRFD9024PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 570pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=25°C): 0.7A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 200pF. Costo): 94pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 82 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 5.6A. DI (T=100°C): 0.49A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET POWWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP4. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Vivienda (norma JEDEC): 1.2 Ohms. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: IRFD9110PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 0.6A. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.6 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB, DIP4, -100V, -1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP4. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: IRFD9120PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 390pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. DI (T=25°C): 0.56A. Idss (máx.): 0.56A. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 0.34A. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB, HD-1, -200V, -0.56A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: HD-1. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: IRFD9220PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 7.3 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 340pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB, ITO-220AB, -100V, -11A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFI9540GPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 24 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 51 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 4.3A, 4.3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 4.3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 2.7A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Función: td(on) 12ns, td(off) 28ns

Transistor de canal P, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=25°C): 4.1A. Idss (máx.): 4.1A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 2.6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Función: td(on) 12ns, td(off) 34ns

Transistor de canal P, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. DI (T=25°C): 1.5A. Idss (máx.): 1.5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 0.96A. Nota: b47kaa. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, -60V, -0.18A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FE. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 9.6 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 270pF. Disipación máxima Ptot [W]: 3.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 200pF. Costo): 94pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 8.8A. DI (T=100°C): 0.69A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, -100V, -1.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 3.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1300pF. Costo): 400pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 76A. DI (T=100°C): 16A. IDss (mín.): 25mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.117 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 51 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-247AC, -100V, -23A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP9140NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 51 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 140W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-247AC, -100V, -21A, 180W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Vivienda (norma JEDEC): 180W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP9140PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 34 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal P, 12A, 500uA, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1200pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 48A. DI (T=100°C): 7.5A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.57 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: transistor complementario (par) IRFP240. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-247, -200V, -12A, 150W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Vivienda (norma JEDEC): 150W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP9240PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1200pF. Costo): 520pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 71ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 110A. DI (T=100°C): 22A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: IRFR5305. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.065 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS