Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N

Transistor de canal P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N
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1 - 4 1.05€ 1.27€
5 - 9 1.00€ 1.21€
10 - 24 0.97€ 1.17€
25 - 49 0.95€ 1.15€
50 - 99 0.92€ 1.11€
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Transistor de canal P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N. Transistor de canal P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 350pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. DI (T=100°C): 8A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.175 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 20:25.

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Transistor de canal P, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 350pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. DI (T=100°C): 8A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.175 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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Transistor de canal P, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 350pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. DI (T=100°C): 8A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.175 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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