Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): TSMT6. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 780pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC-CC. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: TM. Número de terminales: 6. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Resistencia en encendido Rds activado: 65m Ohms. RoHS: sí. Paso: 2.9x1.6mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 4.4A, 4.4A, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 4.4A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 3.3A. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Advanced Power MOSFET

Transistor de canal P, 3A, 3A, 200V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Pd (disipación de potencia, máx.): 28W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Tecnología: V-MOS (F)

Transistor de canal P, 3.4A, 3.4A, 250V. DI (T=25°C): 3.4A. Idss (máx.): 3.4A. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 2.6A. Nota: On 13ns, Off 40ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3 Ohms. Tecnología: V-MOS TO220F

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -30V, -2.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L7. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 380pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -30V, -2.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L7. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 380pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -30V, -2.7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: N7. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 60 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 340pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: N9. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 60 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 210pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -12V, -3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: M5. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -0.9V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 715pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -40V, -3.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P7. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 60 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 27 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 595pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -20V, -4.7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: D3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.0V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 71 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1020pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -12V, -7.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1225pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -12V, -6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: O4. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 26 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1275pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. DI (T=25°C): 2.45A. Idss (máx.): 5nA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): TSOP-6. Voltaje Vds(máx.): 20V. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 16A. DI (T=100°C): 1.95A. IDss (mín.): 1nA. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) mín.: 0.45V

Transistor de canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 35ms. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. DI (T=100°C): 5.9A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 45ms. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. DI (T=100°C): 5.9A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.013 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 11.4A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 41ms. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. DI (T=100°C): 9.1A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.01 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4431BDY-T1-E3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4431CDY-T1-GE3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1006pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. DI (T=100°C): 5.6A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.015 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 8.8A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.015 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: D-S-MOSFET

Transistor de canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.1A. Idss (máx.): 7.1A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 2. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Protección G-S: NINCS. DI (T=100°C): 5.7A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET

Transistor de canal P, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 7.3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 2. Función: td(on) 10ns, td(off) 45ns. DI (T=100°C): 5.9A. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.024 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET

Transistor de canal P, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2500. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 3.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4948BEY-T1-GE3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 75 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C