Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1N4150

1N4150
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1 - 4 0.61€ 0.74€
5 - 9 0.58€ 0.70€
10 - 24 0.55€ 0.67€
25 - 29 0.48€ 0.58€
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Conjunto de 10

1N4150. Corriente directa (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 50V. Material semiconductor: silicio. Función: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 02:25.

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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo de silicio de pequeña señal. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-35. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 25nA..5uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión directa Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Vivienda (norma JEDEC): 0.45A. Tensión umbral Vf (máx): 1V. VRRM: 100V
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