FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 3500pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 964ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad ESD mejorada. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W12NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 88 ns. Td(encendido): 31 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia SuperMESH™ protegido por diodo zener. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Vivienda: TO-247. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 50mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 600V. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1mA. Marcado en la caja: W13NK60Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Corriente máxima de drenaje: 13A. Potencia: 150W. Número de terminales: 3. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2000pF. Costo): 238pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1mA. Marcado en la caja: W14NK50Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 0.55 Ohms, TO-247, 900V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-247. Tensión drenaje-fuente (Vds): 900V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 15A. Potencia: 350W

Transistor de canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 10.71A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 10nA. Marcado en la caja: 18NM80. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 500V. Vivienda (norma JEDEC): 30. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: W20NK50Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 28 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 20A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: W20NM50FD. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1380pF. Disipación máxima Ptot [W]: 214W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1450pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W20NM60. Pd (disipación de potencia, máx.): 214W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 6 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.135 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1800pF. Costo): 115pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 26NM60N. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Peso: 4.51g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 85 ns. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1440pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 384 ns. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 28N65M2. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 59 ns. Td(encendido): 13.4 ns. Tecnología: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.62 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 2400pF. Costo): 650pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PowerMESH™ MOSFET. Identificación (diablillo): 136A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W34NB20. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 30 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 4 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: Fuentes de alimentación conmutadas SMPS, convertidores CC-CA. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 35A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 255W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: MDmesh II. Función: Idm--140Ap(pulsed). Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 4300pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 43NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 255W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: MDmesh II. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Baja resistencia de entrada de puerta. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 3800pF. Costo): 1250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 508 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: W45NM60. Pd (disipación de potencia, máx.): 417W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.3 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1250pF. Costo): 128pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 22.4A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.7 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 1154pF. Costo): 106pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 605 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W5NK100Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 51.5 ns. Td(encendido): 22.5 ns. Tecnología: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.56 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 23.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W7NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 15A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.05 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. Pd (disipación de potencia, máx.): 37W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 7 ns. Número de terminales: 3. Tecnología: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SUP75N03-04. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 190 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 10742pF. Disipación máxima Ptot [W]: 187W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 85A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.003 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3535pF. Costo): 680pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 41 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 78W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: TrenchFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Fuente de alimentación, convertidor CC/CC. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-3FS. Tensión colector/emisor Vceo: 430V. C(pulg): 5500pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo de germanio: Supresor. Corriente del colector: 240A. Ic (pulso): 240A. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 46 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 3.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 5V. Tensión puerta/emisor VGE: 33V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminales: 3. Función: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Varios: control de flash y estroboscopio. Tecnología: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Diodo CE: NINCS

Transistor de canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.22 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2600pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 80A. Marcado en la caja: K20J50D. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 100 ns. Tecnología: Efecto de campo Tipo POWER MOS (MOSVII). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 800pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K6A60D. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1050pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 10uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS