FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 800V, 1.8 Ohms, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 800V. Resistencia en encendido Rds activado: 1.8 Ohms. Vivienda: TO-220FP. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 5.2A. Tipo de transistor: MOSFET. Función: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 20.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P7NK80ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) mín.: 3.75V

Transistor de canal N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SWITCHING APPLICATION. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P80NF06. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 80A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P80NF10. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 26 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 116 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.013 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 120V. C(pulg): 4300pF. Costo): 600pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 155 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P80NF12. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 134 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de motor, amplificador de audio. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. DI (T=100°C): 68A. DI (T=25°C): 98A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0098 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 68V. C(pulg): 2550pF. Costo): 550pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 392A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 80NF70. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. DI (T=100°C): 4.3A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 700V. C(pulg): 2350pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 680 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Zener-Protected. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 27A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: PowerMESH™III MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 24.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P8NK80ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PowerMesh

Transistor de canal N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 910pF. Costo): 125pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 238 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 28.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK50Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 910pF. Costo): 125pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 238 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 28.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK50ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1110pF. Costo): 135pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 28A. IDss (mín.): 1us. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 600V, 7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P9NK60Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1100pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1110pF. Costo): 135pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 28A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK60ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK90Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. DI (T=100°C): 0.189A. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 13 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92Ammopak. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 94pF. Costo): 17.6pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 135 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad mejorada contra ESD y protección Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 1.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 1NK60ZR. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 5.5 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V

Transistor de canal N, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 2. Función: 2xN-CH 60V. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: STripFET™ Power MOSFET

Transistor de canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.65 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W10NK60Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 156W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.78 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 645 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W10NK80Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 800V, 9A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: W10NK80Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 65 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2180pF. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 3500pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 560 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: capacidad dv/dt extremadamente alta, aplicaciones de conmutación. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 33.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W11NK100Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 98 ns. Td(encendido): 27 ns. Tecnología: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 1 kV, 8.3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: W11NK100Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 27 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 98 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.82 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 3000pF. Costo): 240pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 584 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: ZenerProtect. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 36.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W11NK90Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 76 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: SuperMesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 10.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.65 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2620pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 635 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad ESD mejorada. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 42A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W12NK80Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia SuperMESH™ protegido por diodo zener. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 3500pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 964ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad ESD mejorada. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W12NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 88 ns. Td(encendido): 31 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia SuperMESH™ protegido por diodo zener. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí