FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 612 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P11NM80. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: MDmesh MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 77A, 110A, 10uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 77A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 5200pF. Costo): 785pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 152 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 440A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P120NF10. Pd (disipación de potencia, máx.): 312W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 132 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 550V. C(pulg): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P12NM50. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 550V. C(pulg): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P12NM50FP. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 790pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: ID pulse 44A. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 120V. C(pulg): 460pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 56A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P14NF12. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2000pF. Costo): 238pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P14NK50ZFP. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Protección de diodo Zener. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.08 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 315pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 64A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P16NF06. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 7 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Capacidad excepcional de dv/dt, carga de puerta baja. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.08 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 345pF. Costo): 72pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 64A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Low Gate Charge. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5100pF. Costo): 1270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 480A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 200N4F3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: STripFET™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: conmutación, aplicaciones automotrices. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.06 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGHdv/dtCAP. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: II Power Mos. Cantidad por caja: 1. Nota: Low Gate Charge

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1300pF. Costo): 500pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P20NM60FD. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 192W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 8 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Función: Baja capacitancia de puerta. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.025 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1500pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P20NM60FP. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 6 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: MDmesh™ MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.055 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 870pF. Costo): 125pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 100us. Tensión umbral del diodo: 1.5V. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SWITCHING APPLICATION. Identificación (diablillo): 104A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P24NF10. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.135 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1800pF. Costo): 115pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 26NM60N. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 85 ns. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.038 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1180pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 110us. Tensión umbral del diodo: 1.3V. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.032 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 690pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P36NF06. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 27 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Función: trr 65ns, dv/dt eficiente

Transistor de canal N, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 18A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.032 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 72A. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Cantidad por caja: 1. Función: trr 65ns, dv/dt eficiente

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 60V, 30A, 60.4k Ohms. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Vivienda (norma JEDEC): 60.4k Ohms. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P36NF06L. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 660pF. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 2.9A. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Vivienda: TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 400pF. Costo): 57pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 13.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P3NB60. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 11 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.6 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 440pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 10.4A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: PowerMESH™ MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 3.5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 900V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Zener-Protected. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PowerMESH III

Transistor de canal N, TO-220FP, 3.6 Ohms, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, 600V, 600V. Vivienda: TO-220FP. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6 Ohms. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Corriente máxima de drenaje: 2.4A. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET

Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.8 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 485pF. Costo): 57pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: relación dv/dt muy alta, para aplicaciones de conmutación. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P3NK80Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí