FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SuperMESH

Transistor de canal N, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 1.89A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SuperMESH

Transistor de canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 3050pF. Costo): 380pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 220A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P55NE06. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60V, TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 60V. Vivienda: TO220. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 50A. Voltaje de accionamiento: 10V. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tipo de montaje: THT

Transistor de canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1700pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 220A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P55NF06L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40ms. Td(encendido): 20ms. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 1.7V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P5NK100Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 52 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1154pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 690pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 485 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P5NK60ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Spec info: -55°C...+150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+ °C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 910pF. Costo): 98pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 17.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P5NK80Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 17.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P5NK80ZFP. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. C(pulg): 910pF. Costo): 98pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET

Transistor de canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1810pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 73ms. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 240A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. RoHS: sí. Spec info: Capacidad excepcional de dv/dt. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 60V, 60A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P60NF06L. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 35 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 55 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (máx.): 62A. Resistencia en encendido Rds activado: 12.5m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 33V. C(pulg): 1330pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: totalmente protegido. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 248A. Marcado en la caja: P62NS04Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v

Transistor de canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0115 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 240A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P65NF06. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, TO-220, TO-220, 600V, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. C(pulg): 905pF. Costo): 115pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 445 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P6NK60Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 104W

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 905pF. Costo): 115pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 445 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P6NK60ZFP. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V

Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.56 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 23.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P6NK90Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.56 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 23.2A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P6NK90ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0095 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 3700pF. Costo): 730pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 132 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P75NF75. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 66 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 6.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Zener-Protected. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PowerMesh

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1138pF. Costo): 122pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 20.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P7NK80Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: Zener-Protected. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 800V, 5.2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P7NK80Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1138pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1138pF. Costo): 122pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 20.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P7NK80ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) mín.: 3.75V

Transistor de canal N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SWITCHING APPLICATION. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P80NF06. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 80A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P80NF10. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 26 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 116 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.013 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 120V. C(pulg): 4300pF. Costo): 600pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 155 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P80NF12. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 134 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V