FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.63 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 452pF. Costo): 30pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 324 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia de entrada baja y carga de puerta. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 26A. IDss (mín.): 1mA. Marcado en la caja: 9NM60N. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 26A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 52.5 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 610pF. Costo): 65pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: atenuador de luz, relé estático, controlador de motor. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 20A. Ic (pulso): 100A. Marcado en la caja: GF10NB60SD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Spec info: Baja caída de tensión (VCE(sat)). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 1.2 ns. Td(encendido): 0.7 ns. Tecnología: PowerMESH IGBT. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.35V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 10A, TO-220, TO-220, 600V. Ic(T=100°C): 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 380pF. Costo): 46pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Función: Controles de motor de alta frecuencia.. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 20A. Ic (pulso): 30A. Marcado en la caja: GP10NC60KD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: Tiempo de resistencia al cortocircuito 10us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 17 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2200pF. Costo): 225pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 44 ns. Función: inversores de alta frecuencia, UPS. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 150A. Marcado en la caja: GW20NC60VD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 31 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.75V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.75V

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 2510pF. Costo): 175pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Función: alta capacidad de corriente, alta impedancia de entrada. Diodo de germanio: NINCS. Fecha de producción: 201509. Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 135A. Marcado en la caja: GW30NC120HD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 220W. RoHS: sí. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 275 ns. Td(encendido): 29 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.75V. Tensión puerta/emisor VGE: 25V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.75V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.75V

Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 4550pF. Costo): 350pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: Operación de alta frecuencia hasta 50KHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 200A. Marcado en la caja: GW40NC60V. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 260W. RoHS: sí. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 43 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.75V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.75V

Transistor de canal N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: ISOWATT218FX. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1350pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET de potencia rápida. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 25uA. Nota: Viso 4000V. Marcado en la caja: H8NA60FI. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Modo de mejora . Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.75V. Vgs(th) mín.: 2.25V

Transistor de canal N, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. DI (T=100°C): 630mA. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 150pF. Costo): 30pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 4A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 4NF20L. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 10.4 ns. Td(encendido): 2 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V

Transistor de canal N, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 80V. C(pulg): 5955pF. Costo): 244pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 38 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 400A. Marcado en la caja: 100N8F6. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 176W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 103 ns. Td(encendido): 33 ns. Tecnología: STripFET™ F6 technology. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Zener-Protected. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P10NK60Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.65 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Zener-Protected. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P10NK60ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.78 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 645 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Protección de diodo Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P10NK80Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.78 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2180pF. Costo): 205pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 645 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: protegido con el diodo Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P10NK80ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220FP, 800V, 9A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220FP. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P10NK80ZFP. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 65 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2180pF. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1250pF. Costo): 210pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 42.8A. IDss (mín.): 1uA. Nota: Viso 2000VDC. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 400V, 9A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P11NK40Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 930pF. Disipación máxima Ptot [W]: 110W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 6 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.37 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 850pF. Costo): 44pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 11NM60ND. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 612 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P11NM80. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: MDmesh MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 77A, 110A, 10uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 77A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 5200pF. Costo): 785pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 152 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 440A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P120NF10. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 312W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 132 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 550V. C(pulg): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P12NM50. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 550V. C(pulg): 1000pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P12NM50FP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 790pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia de entrada baja y carga de puerta. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 13NM60N. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 44A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 120V. C(pulg): 460pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Baja carga de entrada. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 56A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P14NF12. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2000pF. Costo): 238pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Protección de diodo Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P14NK50ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V